[發(fā)明專利]電磁波屏蔽層疊體及其制造方法、屏蔽印刷配線板及其制造方法、半導體封裝、及電子設備

在審

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• 申請日: 2022-03-25
• 公開（公告）號: CN115139587A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發(fā)明（設計）人: 志保浩司;內山克博;安克彥;光田和弘
• 申請（專利權）人: JSR株式會社;豐光社技術有限公司
• 主分類號: B32B15/08
• 分類號: B32B15/08;B32B15/082;B32B15/088;B32B15/09;B32B15/092;B32B15/098;B32B15/20;B32B27/00;B32B27/30;B32B27/34;B32B27/36;B32B27/38;B32B27/42;H05K
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉丹;劉芳

本發(fā)明提供一種在制造屏蔽印刷配線板時等不易發(fā)生層間剝離的電磁波屏蔽層疊體及其制造方法、屏蔽印刷配線板及其制造方法、半導體封裝、及電子設備。本發(fā)明的一實施例是一種電磁波屏蔽層疊體，包括屏蔽層、以及經由化合物α而與所述屏蔽層接合的接著劑層及絕緣層中的至少一者，所述化合物α為化合物α1、及化合物α2中的至少一者：所述化合物α1在一分子內具有苯環(huán)、烷氧基硅烷基、以及選自由疊氮基、疊氮磺酰基及重氮甲基所組成的群組中的一種以上的基，所述化合物α2是將包含所述化合物α1的水解性硅烷化合物進行水解縮合而獲得。

技術領域

本發(fā)明涉及一種電磁波屏蔽層疊體、電磁波屏蔽層疊體的制造方法、屏蔽印刷配線板、屏蔽印刷配線板的制造方法、半導體封裝、及電子設備。

背景技術

自以前以來進行：例如在可撓性印刷配線板(flexible printed circuits，F(xiàn)PC)等印刷配線板貼附電磁波屏蔽層疊體，屏蔽來自外部的電磁波。

電磁波屏蔽層疊體通常具有將導電性接著劑層、包含金屬薄膜等的屏蔽層、絕緣層依序層疊而成的結構。通過將所述電磁波屏蔽層疊體在與印刷配線板重合的狀態(tài)下加熱壓制，電磁波屏蔽層疊體通過導電性接著劑層而與印刷配線板接著，從而制作屏蔽印刷配線板。在所述接著后，通常通過焊料回流將零件安裝于印刷配線板上。另外，印刷配線板通常構成為基膜上的印刷電路被絕緣膜被覆。

在制造屏蔽印刷配線板時，若通過加熱壓制、焊料回流等對屏蔽印刷配線板進行加熱，則自電磁波屏蔽層疊體的導電性接著劑層、印刷配線板的絕緣膜等產生氣體。另外，在印刷配線板的基膜由聚酰亞胺等吸濕性高的樹脂形成的情況下，由于加熱有時會自基膜產生水蒸氣。自導電性接著劑層、絕緣膜及基膜等產生的這些揮發(fā)成分無法順利通過屏蔽層，因此會積存于屏蔽層與導電性接著劑層之間。因此，若在焊料回流工序等中進行急遽的加熱，則由于積存于屏蔽層與導電性接著劑層之間的揮發(fā)成分，有時會破壞屏蔽層與導電性接著劑層的層間密接，導致屏蔽性能降低。

為了解決此種問題，在專利文獻1中記載有在屏蔽層(金屬薄膜)設置多個開口部、提高透氣性的電磁波屏蔽層疊體。若在屏蔽層設置多個開口部，則揮發(fā)成分可通過開口部而通過屏蔽層。因此，視為可防止揮發(fā)成分積存于屏蔽層與導電性接著劑層之間，從而可防止由層間密接被破壞而引起的屏蔽性能的降低。

[現(xiàn)有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2014/192494號

發(fā)明內容

[發(fā)明所要解決的問題]

專利文獻1中所記載的電磁波屏蔽層疊體由于在屏蔽層形成有開口部，因此屏蔽層的強度弱。因此，若將專利文獻1中所記載的電磁波屏蔽層疊體用于可撓性印刷配線板，則產生以下那樣的問題。可撓性印刷配線板在使用時反復彎折。因此，用于此種可撓性印刷配線板中的電磁波屏蔽層疊體、及構成所述電磁波屏蔽層疊體的屏蔽層也會反復彎折。如所述那樣，專利文獻1中所記載的電磁波屏蔽層疊體的屏蔽層的強度弱，因此若反復彎折，則屏蔽層遭到破壞，有時導致屏蔽性能的降低。另外，在半導體封裝等中，也有時設置用于屏蔽電磁波的屏蔽層，屏蔽層與絕緣層等其他層之間的密接性等變得重要。

本發(fā)明是基于以上的情況而成者，其目的在于提供一種在制造屏蔽印刷配線板時等不易發(fā)生層間剝離的電磁波屏蔽層疊體、此種電磁波屏蔽層疊體的制造方法、以及使用此種電磁波屏蔽層疊體的屏蔽印刷配線板、屏蔽印刷配線板的制造方法、半導體封裝、及電子設備。

[解決問題的技術手段]

本發(fā)明的一實施例是一種電磁波屏蔽層疊體，包括屏蔽層、以及經由化合物α而與所述屏蔽層接合的接著劑層及絕緣層中的至少一者，所述化合物α為化合物α1、及化合物α2中的至少一者：所述化合物α1在一分子內具有苯環(huán)、烷氧基硅烷基、以及選自由疊氮基、疊氮磺酰基及重氮甲基所組成的群組中的一種以上的基，所述化合物α2是將包含所述化合物α1的水解性硅烷化合物進行水解縮合而獲得。