[發(fā)明專利]導電材料、電子裝置及其制作方法

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• 申請日: 2022-03-25
• 公開（公告）號: CN114539487A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設計）人: 吳永偉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: C08F283/06
• 分類號: C08F283/06;C08F2/44;C08K3/22;C08K3/34;C08J5/18;C08L51/08;H01B5/14
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本發(fā)明公開了一種導電材料、電子裝置及其制作方法。該導電材料包括離子單體、交聯(lián)劑、光引發(fā)劑、納米填料以及光吸收劑，其中，離子單體包括固態(tài)導電離子單體。本發(fā)明采用固態(tài)導電離子單體作為離子單體，進而可以避免相關技術中液態(tài)導電材料在固化時，由于蒸發(fā)和泄露，導致電性和機械性能差的問題產(chǎn)生，本發(fā)明提供的導電材料可以提高成膜良率。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種導電材料、電子裝置及其制作方法。

背景技術

打印技術是一種增材制造工藝，具備無需光罩、非接觸、直接寫入等優(yōu)點，在光電子工業(yè)等領域獲得了廣泛應用，已成為一種可靠、成熟、低成本的圖案化技術。打印技術可以高精度控制材料的位置、形狀及大小。在這一過程中，材料幾無損耗，材料利用率高。同時打印過程簡單，無需昂貴復雜的各種大型設備。

柔性透明導電薄膜(Flexible Transparent Conductive Films，F(xiàn)TCFs)具備優(yōu)良的導電性及可見光穿透性，被廣泛應用于觸摸屏、太陽能電池、發(fā)光器件、智能窗戶、液晶顯示器等光電子器件領域。目前，隨著通訊、物聯(lián)等技術的迅猛發(fā)展，相關器件如無線通訊、柔性電子設備等對TCFs的性能要求越來越高，不僅作為設備的顯示屏，而且還要充當電磁屏蔽材料，保護精密設備免受電磁波的干擾和輻射。

目前，常通過噴墨打印工藝將導電材料制備成導電薄膜，但是，由于噴墨打印中的凝膠在固化過程中，其內(nèi)的液體容易發(fā)生蒸發(fā)和泄露，導致其制備的導電薄膜的電性和機械性能差，而光固化無溶劑離子導電材料雖然可以避免上述問題，但是其過程復雜，將導致成本提高、效率低且良品率差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種導電材料、電子裝置及其制作方法，能夠提高導電材料的成膜良率。

本發(fā)明實施例提供一種導電材料，所述導電材料包括離子單體、交聯(lián)劑、光引發(fā)劑、納米填料以及光吸收劑，其中，所述離子單體包括固態(tài)導電離子單體。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述固態(tài)導電離子單體包括丙烯酸和氯化膽堿的絡合物。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述離子單體占所述導電材料的質(zhì)量百分比為20～80％。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述交聯(lián)劑包括聚乙二醇二丙烯酸酯，所述光引發(fā)劑包括二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦，所述納米填料包括無機蒙脫土或釩石粉中的至少一者，所述光吸收劑包括1-(苯基偶氮)-2-萘酚。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述交聯(lián)劑占所述導電材料的質(zhì)量百分比為5～30％，所述光引發(fā)劑占所述導電材料的質(zhì)量百分比為0～5％，所述納米填料占所述導電材料的質(zhì)量百分比為3～10％，所述光吸收劑占所述導電材料的質(zhì)量百分比為0.5～5％。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述納米填料的粒徑為50～500nm。

根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提供一種電子裝置的制作方法，其包括以下步驟：

提供襯底；

采用導電材料在所述襯底上形成導電薄膜，所述導電材料包括離子單體、交聯(lián)劑、光引發(fā)劑、納米填料以及光吸收劑，其中，所述離子單體包括固態(tài)導電離子單體。

在本發(fā)明的一種實施例中，所述固態(tài)導電離子單體包括丙烯酸和氯化膽堿的絡合物，其中，所述離子單體占所述導電材料的質(zhì)量百分比為20～80％；

所述交聯(lián)劑包括聚乙二醇二丙烯酸酯，所述光引發(fā)劑包括二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦，所述納米填料包括無機蒙脫土或釩石粉中的至少一者，所述光吸收劑包括1-(苯基偶氮)-2-萘酚，其中，所述交聯(lián)劑占所述導電材料的質(zhì)量百分比為5～30％，所述光引發(fā)劑占所述導電材料的質(zhì)量百分比為0～5％，所述納米填料占所述導電材料的質(zhì)量百分比為3～10％，所述光吸收劑占所述導電材料的質(zhì)量百分比為0.5～5％。