[發明專利]導電材料、電子裝置及其制作方法

在審

• 申請號: 202210306019.3
• 申請日: 2022-03-25
• 公開（公告）號: CN114539487A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 吳永偉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: C08F283/06
• 分類號: C08F283/06;C08F2/44;C08K3/22;C08K3/34;C08J5/18;C08L51/08;H01B5/14
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種導電材料，其特征在于，所述導電材料包括離子單體、交聯劑、光引發劑、納米填料以及光吸收劑，其中，所述離子單體包括固態導電離子單體。

2.根據權利要求1所述的導電材料，其特征在于，所述固態導電離子單體包括丙烯酸和氯化膽堿的絡合物。

3.根據權利要求1所述的導電材料，其特征在于，所述離子單體占所述導電材料的質量百分比為20～80％。

4.根據權利要求1所述的導電材料，其特征在于，所述交聯劑包括聚乙二醇二丙烯酸酯，所述光引發劑包括二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦，所述納米填料包括無機蒙脫土或釩石粉中的至少一者，所述光吸收劑包括1-(苯基偶氮)-2-萘酚。

5.根據權利要求1所述的導電材料，其特征在于，所述交聯劑占所述導電材料的質量百分比為5～30％，所述光引發劑占所述導電材料的質量百分比為0～5％，所述納米填料占所述導電材料的質量百分比為3～10％，所述光吸收劑占所述導電材料的質量百分比為0.5～5％。

6.根據權利要求1所述的導電材料，其特征在于，所述納米填料的粒徑為50～500nm。

7.一種電子裝置的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

采用導電材料在所述襯底上形成導電薄膜，所述導電材料包括離子單體、交聯劑、光引發劑、納米填料以及光吸收劑，其中，所述離子單體包括固態導電離子單體。

8.根據權利要求7所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，所述固態導電離子單體包括丙烯酸和氯化膽堿的絡合物，其中，所述離子單體占所述導電材料的質量百分比為20～80％；

所述交聯劑包括聚乙二醇二丙烯酸酯，所述光引發劑包括二苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦，所述納米填料包括無機蒙脫土或釩石粉中的至少一者，所述光吸收劑包括1-(苯基偶氮)-2-萘酚，其中，所述交聯劑占所述導電材料的質量百分比為5～30％，所述光引發劑占所述導電材料的質量百分比為0～5％，所述納米填料占所述導電材料的質量百分比為3～10％，所述光吸收劑占所述導電材料的質量百分比為0.5～5％。

9.根據權利要求7所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，所述采用導電材料在所述襯底上形成導電薄膜包括以下步驟：

通過3D打印工藝采用所述導電材料在所述襯底上形成所述導電薄膜，其中，所述固態導電離子單體聚合形成固態聚合物骨架結構，且所述納米填料吸附于所述固態聚合物骨架結構上。

10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置采用如權利要求7至9任一項所述的電子裝置的制作方法制得。