[發(fā)明專利]待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)方法、不間斷接料中轉(zhuǎn)裝置及芯片檢測(cè)設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210305420.5 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114878465A | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 肖治祥;朱濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州精瀨光電有限公司;武漢精測(cè)電子集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/01 | 分類號(hào): | G01N21/01;G01N21/892;H01L21/66;H01L23/544;B65G47/248;B65G47/66;B65G47/68;B65G47/82;B65G47/88;B65G47/90;B65G47/91 |
| 代理公司: | 江蘇坤象律師事務(wù)所 32393 | 代理人: | 趙新民 |
| 地址: | 215100 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 流轉(zhuǎn) 方法 不間斷 中轉(zhuǎn) 裝置 檢測(cè) 設(shè)備 | ||
本發(fā)明提供的待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)方法,包括:步驟S1.獲取待測(cè)芯片并存放至中轉(zhuǎn)位的儲(chǔ)料區(qū);步驟S2.從所述儲(chǔ)料區(qū)取出待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)至檢測(cè)工位;所述第一儲(chǔ)料區(qū)和所述第二儲(chǔ)料區(qū)的位置呈周期性切換;當(dāng)存放所述待測(cè)芯片至所述第一儲(chǔ)料區(qū)時(shí),從所述第二儲(chǔ)料區(qū)中取出所述待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)至檢測(cè)工位;不間斷地重復(fù)步驟S1至步驟S2。通過不間斷地存放和向檢測(cè)工位流轉(zhuǎn)待測(cè)芯片,動(dòng)作銜接緊密、一體化程度高,節(jié)拍時(shí)間大幅縮短,有利于提高芯片檢測(cè)的工作效率。本發(fā)明的不間斷接料中轉(zhuǎn)裝置,能實(shí)現(xiàn)該待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)方法具有相應(yīng)優(yōu)勢(shì)。本發(fā)明還公開了芯片檢測(cè)設(shè)備,該芯片檢測(cè)設(shè)備因采用該不間斷上料中轉(zhuǎn)裝置而具有相應(yīng)優(yōu)勢(shì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)方法、不間斷接料中轉(zhuǎn)裝置及芯片檢測(cè)設(shè)備。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體制造工藝步驟復(fù)雜,涉及各種機(jī)器設(shè)備。以晶圓制造完成后芯片的檢測(cè)環(huán)節(jié)為例,一般磨片后將整潔干凈的晶圓粘貼在晶圓切割膜(藍(lán)膜)上。只把晶圓放到藍(lán)膜上固定還是不夠的,還需要用到晶圓鐵環(huán)來支撐藍(lán)膜把晶圓固定住,讓晶圓不被外界撞擊到,周轉(zhuǎn)存儲(chǔ)晶圓的時(shí)候更加方便,被切割開后的晶粒(待測(cè)芯片)不會(huì)散落下來。切割晶圓后還需進(jìn)行若干次檢測(cè)。隨著半導(dǎo)體制造精密度的提高,對(duì)芯片的制造效率要求及良率要求也越來越高,顯然當(dāng)前這種形式下傳統(tǒng)的人工目檢除了勞動(dòng)強(qiáng)度高、效率低,還有檢測(cè)結(jié)果不客觀不可靠的根本缺陷。因此目前基本都要采用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)。
以Micro LED自動(dòng)檢測(cè)為例,需要通過不同的設(shè)備獨(dú)立完成,如鐵環(huán)藍(lán)膜料片的上下料、待測(cè)芯片的取放、待測(cè)芯片的流轉(zhuǎn)及檢測(cè)等工序。各工序相分離,各自實(shí)施,由不同的設(shè)備分別完成各自的工序后通過人工介入啟動(dòng)下一階段的實(shí)施。現(xiàn)有的做法中多個(gè)相互獨(dú)立的設(shè)備沒有銜接、節(jié)拍時(shí)間無法統(tǒng)籌安排,效率難以提高,且設(shè)備眾多,設(shè)備故障率高、維修不便且操控繁瑣。
以待測(cè)芯片的取放環(huán)節(jié)為例,一般需要先從鐵環(huán)藍(lán)膜料片上逐個(gè)取下芯片,再翻轉(zhuǎn)使得待測(cè)芯片的發(fā)光面朝上,再輸送每個(gè)待測(cè)芯片到檢測(cè)設(shè)備逐個(gè)吸取芯片到自動(dòng)光學(xué)相機(jī)的檢測(cè)工位進(jìn)行檢測(cè)。現(xiàn)有技術(shù)中,對(duì)一個(gè)料盒的鐵環(huán)藍(lán)膜料片檢測(cè)完成后,必須等待料盒更換完成后,才能繼續(xù)進(jìn)行藍(lán)膜上芯片的取放,然后再繼續(xù)檢測(cè)。而料盒的更換需要一定的時(shí)間,無法不間斷地提供待測(cè)芯片到檢測(cè)工位,這段時(shí)間內(nèi)芯片檢測(cè)設(shè)備只能處于不工作狀態(tài)。可知整個(gè)工序不能統(tǒng)籌協(xié)調(diào),存在明顯的工時(shí)浪費(fèi)。因此,當(dāng)前自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)工作的效率難以進(jìn)一步提高。當(dāng)企業(yè)需要設(shè)備高效率生產(chǎn)時(shí),無法不間斷提供待測(cè)芯片是面臨的瓶頸問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的全部或部分問題,本發(fā)明一方面提供了一種待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)方法。本發(fā)明還一方面提供了不間斷接料中轉(zhuǎn)裝置,適用于不間斷輸送待測(cè)芯片;另一方面提供了一種芯片檢測(cè)設(shè)備能夠一體實(shí)施從鐵環(huán)藍(lán)膜料片上取待測(cè)芯片進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)。
本發(fā)明提供的待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)方法,包括:步驟S1.獲取待測(cè)芯片并存放至中轉(zhuǎn)位的儲(chǔ)料區(qū);步驟S2.從所述儲(chǔ)料區(qū)取出待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)至檢測(cè)工位;其中,所述儲(chǔ)料區(qū)分為第一儲(chǔ)料區(qū)和第二儲(chǔ)料區(qū),所述第一儲(chǔ)料區(qū)和所述第二儲(chǔ)料區(qū)的位置呈周期性切換:當(dāng)所述第二儲(chǔ)料區(qū)中的待測(cè)芯片被全部取完時(shí),將所述第二儲(chǔ)料區(qū)與所述第一儲(chǔ)料區(qū)的調(diào)換,將放滿待測(cè)芯片的所述第一儲(chǔ)料區(qū)作為新的第二儲(chǔ)料區(qū)繼續(xù)從中取出待測(cè)芯片,將被取空的所述第二儲(chǔ)料區(qū)作為新的第一儲(chǔ)料區(qū)繼續(xù)向其中存放多個(gè)待測(cè)芯片;當(dāng)存放所述待測(cè)芯片至所述第一儲(chǔ)料區(qū)時(shí),從所述第二儲(chǔ)料區(qū)中取出所述待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)至檢測(cè)工位;不間斷地重復(fù)步驟S1至步驟S2。通過在存放多個(gè)待測(cè)芯片到中轉(zhuǎn)位,能夠在前段工序停止時(shí),繼續(xù)從所述儲(chǔ)料區(qū)中取出待測(cè)芯片流轉(zhuǎn)給檢測(cè)工位;通過在所述第一儲(chǔ)料區(qū)和所述第二儲(chǔ)料區(qū)同步進(jìn)行存放待測(cè)芯片和取出待測(cè)芯片的動(dòng)作,能夠統(tǒng)籌利用存放待測(cè)芯片和取出待測(cè)芯片兩個(gè)動(dòng)作的節(jié)拍時(shí)間,不會(huì)因?yàn)榇娣糯郎y(cè)芯片而增加節(jié)拍時(shí)間;通過所述第一儲(chǔ)料區(qū)和所述第二儲(chǔ)料區(qū)位置的周期性切換,始終能夠從一個(gè)儲(chǔ)料區(qū)中取待測(cè)芯片并向一個(gè)儲(chǔ)料區(qū)中存放待測(cè)芯片,保持取待測(cè)芯片和放待測(cè)芯片的動(dòng)作不間斷,整個(gè)流轉(zhuǎn)動(dòng)作的連貫性好。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
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