[發明專利]一種仿真模型確定方法、芯片分類方法和相關設備

在審

• 申請號: 202210301819.6
• 申請日: 2022-03-25
• 公開（公告）號: CN114676570A
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 洪波;薛小帝
• 申請（專利權）人: 海光信息技術股份有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06K9/62
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 王立娜;丁學爽

1.一種仿真模型確定方法，其特征在于，包括：

獲取在各工藝角條件下制作的半導體器件的測試數據，所述半導體器件包括制作有多個芯片的晶圓，所述測試數據包括所述芯片的測試數據；

根據所述測試數據與初始仿真模型的仿真數據的相似度，將所述半導體器件劃分為至少兩個區域，不同區域的芯片的測試數據與所述仿真數據的相似度不同；

根據所述不同區域的芯片的測試數據，確定的所述初始仿真模型的仿真參數調整值，獲得與所述不同區域的芯片分別對應的最佳仿真模型，以基于所述最佳仿真模型對不同區域的芯片進行仿真。

2.根據權利要求1所述的仿真模型確定方法，其特征在于，所述芯片的測試數據包括所述芯片內預設器件的特征數據，所述預設器件包括晶體管；

所述特征數據至少包括晶體管的閾值電壓測量值、等效電流測量值和漏電流測量值；所述仿真數據至少包括晶體管的閾值電壓仿真值、等效電流仿真值和漏電流仿真值。

3.根據權利要求2所述的仿真模型確定方法，其特征在于，所述根據所述測試數據與所述初始仿真模型的仿真數據的相似度，將所述半導體器件劃分為至少兩個區域包括：

根據各工藝角條件下制作的半導體器件的測試數據與所述初始仿真模型的各工藝角條件下仿真數據的相似度，將所述半導體器件劃分為至少兩個區域。

4.根據權利要求3所述的仿真模型確定方法，其特征在于，確定任一工藝角條件下制作的半導體器件的測試數據與所述初始仿真模型的對應工藝角條件下仿真數據的相似度包括：

至少根據任一工藝角條件下確定的所述閾值電壓測量值與所述閾值電壓仿真值的相似度、所述等效電流測量值與所述等效電流仿真值的相似度以及所述漏電流測量值與所述漏電流仿真值的相似度，確定所述工藝角條件下制作的半導體器件的測試數據與所述初始仿真模型的對應工藝角條件下仿真數據的相似度。

5.根據權利要求1所述的仿真模型確定方法，其特征在于，所述將所述半導體器件劃分為至少兩個區域包括：

將所述半導體器件劃分為中心區域和邊緣區域，所述中心區域的芯片的測試數據與所述仿真數據的相似度大于所述邊緣區域的芯片的測試數據與所述仿真數據的相似度。

6.一種芯片分類方法，其特征在于，包括：

獲取芯片內測量結構的測量數據，所述測量數據包括所述測量結構的性能參數；

根據所述芯片對應的最佳仿真模型，確定所述芯片的性能參數與所述測量結構的性能參數的函數關系；所述芯片的性能參數包括第一性能參數和第二性能參數；同一半導體器件上不同區域的芯片對應的最佳仿真模型不同；

根據所述芯片的性能參數與所述測量結構的性能參數的函數關系，確定所述第一性能參數和第二性能參數的函數關系；

根據所述第一性能參數的目標值以及所述第一性能參數和第二性能參數的函數關系，確定所述第二性能參數的目標值，并根據所述第二性能參數的目標值，調整所述芯片的第二性能參數；

根據調整后的所述芯片的性能參數的實際值，對所述芯片進行分類。

7.根據權利要求6所述的芯片分類方法，其特征在于，所述根據所述芯片對應的最佳仿真模型，確定所述芯片的性能參數與所述測量結構的性能參數的函數關系包括：

根據所述芯片對應的最佳仿真模型進行仿真，獲得實際仿真數據；

根據所述測量數據以及所述實際仿真數據，確定所述芯片的性能參數與所述測量結構的性能參數的函數關系。

8.根據權利要求6所述的芯片分類方法，其特征在于，所述第一性能參數為工作頻率，所述第二性能參數為工作電壓。