[發明專利]一種聲表面波諧振器及濾波器

在審

• 申請號: 202210294659.7
• 申請日: 2022-03-23
• 公開（公告）號: CN114629462A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 馬陽陽;劉曉軍;姚若妍;宋佳佳;朱德進
• 申請（專利權）人: 天通瑞宏科技有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/64
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王風茹

本發明實施例公開了一種聲表面波諧振器及濾波器。該諧振器包括壓電層；位于壓電層上的電極層，電極層包括多個換能器；壓電層包括多個異質反射柵結構，異質反射柵結構沿第二方向延伸，每一異質反射柵結構對應一換能器，每一異質反射柵結構的深度大于換能器的厚度；異質反射柵結構包括第一異質反射柵單元和第二異質反射柵單元，第一異質反射柵單元和第二異質反射柵單元沿第一方向分別對稱設置于對應的換能器的兩側，第一異質反射柵單元和第二異質反射柵單元均包括多條反射柵，多條反射柵的寬度相等，多條反射柵的長度相等，多條反射柵沿第一方向等間隔分布。本發明采用異質反射柵結構取代常規結構的金屬反射柵來反射表面波，提高諧振器的Q值。

技術領域

本發明實施例涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種聲表面波諧振器及濾波器。

背景技術

隨著通信技術發展，產品終端對各類器件的性能提出了嚴格的要求，濾波器是通信系統的關鍵器件；隨著技術發展，濾波器種類也越來越多，從LCR濾波器到腔體濾波器，從LTCC陶瓷濾波器到聲表濾波器，濾波器的技術不斷發展；自從進入LTE時代以來，聲表濾波器在通信系統中的作用愈發重要。同時隨著通信技術的發展，對濾波器的各項要求也越來越高；特別是隨著第五代移動通信技術(5th-Generation，5G)到來，濾波器行業面臨重大挑戰和機遇。

聲表濾波器廣泛應用于射頻前端，具有插損低、帶寬寬、體積小等優點，但是相比于金屬腔體濾波器和體聲波諧振器，其Q值較低，無法實現日益嚴格的性能要求，因此，提高聲表面波諧振器的Q值迫在眉睫。

發明內容

本發明提供一種聲表面波諧振器及濾波器，以提高聲表面波諧振器的Q值。

第一方面，本發明實施例提供了一種聲表面波諧振器，該聲表面波諧振器包括：

壓電層；

位于所述壓電層上的電極層，所述電極層包括多個換能器；

所述壓電層包括多個異質反射柵結構，聲表面波在所述異質反射柵結構中的傳播速度與在所述壓電層中的傳播速度不同，所述異質反射柵結構沿第二方向延伸，每一所述所述異質反射柵結構對應一所述換能器，每一所述異質反射柵結構的深度大于所述換能器的厚度；

所述異質反射柵結構包括第一異質反射柵單元和第二異質反射柵單元，所述第一異質反射柵單元和所述第二異質反射柵單元沿第一方向分別對稱設置于對應的所述換能器的兩側，所述第一異質反射柵單元和所述第二異質反射柵單元均包括多條反射柵，所述多條反射柵的寬度相等，所述多條反射柵的長度相等，所述多條反射柵沿所述第一方向等間隔分布；其中，所述第二方向與所述第一方向相互交叉。

可選地，所述壓電層鄰近所述電極層的表面設置有凹槽，所述凹槽內填充有異質材料層，所述異質反射柵結構包括所述異質材料層。

可選地，所述異質材料層采用的材料包括二氧化硅或氮化硅。

可選地，所述壓電層鄰近所述電極層的表面設置有摻雜區，所述異質反射柵結構包括摻雜設定粒子后的所述摻雜區的所述壓電層。

可選地，所述設定粒子包括釩或者所述設定粒子包括氫和氦。

可選地，所述換能器包括：第一匯流條、第一長指、第一假指、第二匯流條、第二長指和第二假指；所述第一匯流條和所述第二匯流條均沿第一方向延伸，且相對設置；所述第一長指、所述第二假指、所述第二長指和所述第一假指均沿第二方向延伸，且均位于第一匯流條和第二匯流條之間；所述第一長指和所述第一假指沿第一方向交替排列且均與所述第一匯流條連接；所述第二長指和所述第二假指沿第一方向交替排列且均與所述第二匯流條連接；所述第一長指和所述第二假指相對設置，所述第一長指和所述第二假指之間具有第一間隙，所述第二長指和所述第一假指相對設置，所述第二長指和所述第一假指之間具有第二間隙。

可選地，相鄰所述反射柵中心的間距包括0.3λ-3λ，其中，λ為聲表面波波長。