[發明專利]一種聲表面波諧振器及濾波器

在審

• 申請號: 202210294659.7
• 申請日: 2022-03-23
• 公開（公告）號: CN114629462A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 馬陽陽;劉曉軍;姚若妍;宋佳佳;朱德進
• 申請（專利權）人: 天通瑞宏科技有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/64
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王風茹

1.一種聲表面波諧振器，其特征在于，包括：

壓電層；

位于所述壓電層上的電極層，所述電極層包括多個換能器；

所述壓電層包括多個異質反射柵結構，聲表面波在所述異質反射柵結構中的傳播速度與在所述壓電層中的傳播速度不同，所述異質反射柵結構沿第二方向延伸，每一所述異質反射柵結構對應一所述換能器，每一所述異質反射柵結構的深度大于所述換能器的厚度；

所述異質反射柵結構包括第一異質反射柵單元和第二異質反射柵單元，所述第一異質反射柵單元和所述第二異質反射柵單元沿第一方向分別對稱設置于對應的所述換能器的兩側，所述第一異質反射柵單元和所述第二異質反射柵單元均包括多條反射柵，所述多條反射柵的寬度相等，所述多條反射柵的長度相等，所述多條反射柵沿所述第一方向等間隔分布；其中，所述第二方向與所述第一方向相互交叉。

2.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述壓電層鄰近所述電極層的表面設置有凹槽，所述凹槽內填充有異質材料層，所述異質反射柵結構包括所述異質材料層。

3.根據權利要求2所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述異質材料層采用的材料包括二氧化硅或氮化硅。

4.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述壓電層鄰近所述電極層的表面設置有摻雜區，所述異質反射柵結構包括摻雜設定粒子后的所述摻雜區的所述壓電層。

5.根據權利要求4所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述設定粒子包括釩或者所述設定粒子包括氫和氦。

6.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述換能器包括：第一匯流條、第一長指、第一假指、第二匯流條、第二長指和第二假指；所述第一匯流條和所述第二匯流條均沿第一方向延伸，且相對設置；所述第一長指、所述第二假指、所述第二長指和所述第一假指均沿第二方向延伸，且均位于第一匯流條和第二匯流條之間；所述第一長指和所述第一假指沿第一方向交替排列且均與所述第一匯流條連接；所述第二長指和所述第二假指沿第一方向交替排列且均與所述第二匯流條連接；所述第一長指和所述第二假指相對設置，所述第一長指和所述第二假指之間具有第一間隙，所述第二長指和所述第一假指相對設置，所述第二長指和所述第一假指之間具有第二間隙。

7.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，相鄰所述反射柵中心的間距包括0.3λ-3λ，其中，λ為聲表面波波長。

8.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，所述異質反射柵結構沿所述聲表面波諧振器厚度方向的深度包括0.3λ-3λ，其中，λ為聲表面波波長，所述異質反射柵的長度大于所述換能器的寬度。

9.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器，其特征在于，還包括溫度補償層和襯底，所述溫度補償層位于所述電極層遠離所述壓電層的一側，所述襯底位于所述壓電層遠離所述電極層的一側。

10.一種濾波器，其特征在于，包括至少兩個權利要求1-9任一項所述的聲表面波諧振器。