[發明專利]一種聲表面波諧振器在審
| 申請號: | 202210294578.7 | 申請日: | 2022-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN114629461A | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 馬陽陽;劉曉軍;姚若妍;宋佳佳;朱德進 | 申請(專利權)人: | 天通瑞宏科技有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王風茹 |
| 地址: | 314499 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 表面波 諧振器 | ||
1.一種聲表面波諧振器,其特征在于,包括:
壓電層;
位于所述壓電層上的電極層;
所述電極層包括換能器,所述換能器包括:第一匯流條、第一長指、第一假指、第二匯流條、第二長指和第二假指;所述第一匯流條和所述第二匯流條均沿第一方向延伸,且相對設置;所述第一長指、所述第二假指、所述第二長指和所述第一假指均沿第二方向延伸,且均位于第一匯流條和第二匯流條之間;所述第一長指和所述第一假指沿第一方向交替排列且均與所述第一匯流條連接;所述第二長指和所述第二假指沿第一方向交替排列且均與所述第二匯流條連接;所述第一長指和所述第二假指相對設置,所述第一長指和所述第二假指之間具有第一間隙,所述第二長指和所述第一假指相對設置,所述第二長指和所述第一假指之間具有第二間隙;其中,所述第二方向與所述第一方向相互交叉;
所述壓電層包括至少一個異質結構,所述異質結構的深度大于所述換能器的厚度,聲表面波在所述異質結構中的傳播速度與在所述壓電層中的傳播速度不同,所述異質結構沿所述第一方向延伸,所述異質結構與所述換能器在所述壓電層的垂直投影交疊,且與所述第一間隙和所述第二間隙在所述壓電層的垂直投影不交疊。
2.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器,其特征在于,所述異質結構包括第一異質長條和第二異質長條,
所述第一異質長條位于所述第一長指下方,且所述第一異質長條鄰近所述第一間隙的側面與所述第一長指遠離所述第一匯流條的頂端平齊;
所述第二異質長條位于所述第二長指下方,且所述第二異質長條鄰近所述第二間隙的側面與所述第二長指遠離所述第二匯流條的頂端平齊。
3.根據權利要求1或2所述的聲表面波諧振器,其特征在于,所述異質結構包括第三異質長條和第四異質長條,
所述第三異質長條位于所述第二匯流條下方,且所述第三異質長條鄰近所述第二假指的側面與所述第二假指鄰近所述第二匯流條的末端平齊;
所述第四異質長條位于所述第一匯流條下方,且所述第四異質長條鄰近所述第一假指的側面與所述第一假指鄰近所述第一匯流條的末端平齊。
4.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器,其特征在于,所述壓電層鄰近所述電極層的表面設置有空腔結構,所述異質結構包括所述空腔結構。
5.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器,其特征在于,所述壓電層鄰近所述電極層的表面設置有凹槽,所述凹槽內填充有異質材料層,所述異質結構包括所述異質材料層。
6.根據權利要求5所述的聲表面波諧振器,其特征在于,所述異質材料層采用的材料包括二氧化硅或氮化硅。
7.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器,其特征在于,所述壓電層鄰近所述電極層的表面設置有摻雜區,所述異質結構包括摻雜設定粒子后的所述摻雜區的所述壓電層。
8.根據權利要求7所述的聲表面波諧振器,其特征在于,所述設定粒子包括釩或者所述設定粒子包括氫和氦。
9.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器,其特征在于,所述異質結構沿所述第二方向的寬度W與所述聲表面波諧振器的聲速和所述異質結構的聲速的聲速差ΔV滿足如下關系:W=K*ΔV*λ/V,其中,λ為聲表面波波長,V為壓電層材料的聲速,K為調整系數,K的取值范圍為0.8-1.2;
所述異質結構沿所述聲表面波諧振器厚度方向的深度包括0.3λ-3λ,其中,λ為聲表面波波長,所述異質結構沿所述第一方向的長度大于所述聲表面波諧振器的長度。
10.根據權利要求1所述的聲表面波諧振器,其特征在于,還包括溫度補償層和襯底,所述溫度補償層位于所述電極層遠離所述壓電層的一側,所述襯底位于所述壓電層遠離所述電極層的一側。
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