[發(fā)明專利]一種方形晶圓預對準方法、系統(tǒng)、電子設備及存儲介質在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210284294.X | 申請日: | 2022-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN114664722A | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王家林;羅楊;崔潔;牛巖;祁雪飛;菅彥彬 | 申請(專利權)人: | 北京半導體專用設備研究所(中國電子科技集團公司第四十五研究所) |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;G06T1/00;G06T7/13;G06T7/73 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 于彬 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 方形 晶圓預 對準 方法 系統(tǒng) 電子設備 存儲 介質 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N方形晶圓預對準方法、系統(tǒng)、電子設備及存儲介質,該方法包括:獲取待對準方形晶圓對應的目標圖像;基于目標圖像,確定待對準方形晶圓的四個頂點的頂點位置以及四條邊的角度信息;基于四條邊的角度信息,確定第一旋轉角度;控制旋轉平臺按照第一旋轉角度進行旋轉;基于第一旋轉角度以及四個頂點的頂點位置,確定待對準方形晶圓的旋轉后的中心點位置,以及旋轉后的中心點位置與目標位置之間的偏移距離;基于偏移距離控制移動平臺移動,以使待對準方形晶圓移動至測量坐標系中的目標位置完成位置對準。通過采用上述方形晶圓預對準方法、系統(tǒng)、電子設備及存儲介質,解決了無法對方形晶圓進行預對準的問題。
技術領域
本申請涉及半導體技術領域,具體而言,涉及一種方形晶圓預對準方法、系統(tǒng)、電子設備及存儲介質。
背景技術
隨著半導體加工技術的發(fā)展,對加工過程中晶圓對準的精度要求越來越高。為了縮短精確對準的時間,需要在精確對準之前的晶圓傳輸過程中增加預對準工序,以保證在較短的時間內完成晶圓的精確對準。
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,其形狀多為圓形,但在某些特殊領域,也需要使用方形晶圓,目前,在晶圓傳輸系統(tǒng)中,缺少對于方形晶圓的預對準方案。
發(fā)明內容
有鑒于此,本申請的目的在于提供一種方形晶圓預對準方法、系統(tǒng)、電子設備及存儲介質,解決了無法對方形晶圓進行預對準的問題。
第一方面,本申請實施例提供了一種方形晶圓預對準方法,包括:
接收待對準方形晶圓已放入目標晶圓槽位的反饋信號,獲取待對準方形晶圓對應的目標圖像;
基于目標圖像,確定待對準方形晶圓的四個頂點的頂點位置以及四條邊的角度信息;
基于四條邊的角度信息,確定第一旋轉角度;
控制旋轉平臺按照第一旋轉角度進行旋轉,以使待對準方形晶圓在測量坐標系中與橫坐標軸成目標角度進行擺放;
基于第一旋轉角度以及四個頂點的頂點位置,確定待對準方形晶圓的旋轉后的中心點位置,以及旋轉后的中心點位置與目標位置之間的偏移距離;
基于偏移距離控制移動平臺移動,以使待對準方形晶圓移動至測量坐標系中的目標位置完成位置對準。
可選地,基于目標圖像,確定待對準方形晶圓的四個頂點的頂點位置以及四條邊的角度信息,包括:獲取目標圖像中每個像素點的灰度值;針對每個像素點,確定與該像素點相鄰的多個相鄰像素點分別與該像素點的灰度值的差值;將相鄰兩個像素點的差值,確定為相鄰兩個像素點的梯度;將多個大于梯度閾值的梯度對應的像素點,確定為待對準方形晶圓的多個邊緣像素點;基于待對準方形晶圓的多個邊緣像素點,確定待對準方形晶圓的四個頂點的頂點位置以及四條邊的角度信息。
可選地,基于待對準方形晶圓的多個邊緣像素點,確定待對準方形晶圓的四個頂點的頂點位置以及四條邊的角度信息,包括:通過線性擬合將多個邊緣像素點連接起來,確定待對準方形晶圓在圖像坐標系下的位置信息;基于圖像坐標系與測量坐標系的轉換關系,將待對準方形晶圓在圖像坐標系下的位置信息轉換為測量坐標系下的位置信息,測量坐標系下的位置信息包括四個頂點的頂點位置以及四條邊的位置;基于四條邊的位置,確定四條邊的角度信息,四條邊的角度信息包括第一角度、第二角度、第三角度以及第四角度,第一角度、第二角度、第三角度以及第四角度是待對準方形晶圓的第一邊、第二邊、第三邊以及第四邊分別與測量坐標系水平正方向之間的夾角的角度,按照順時針方向待對準方形晶圓的四條邊分別為第一邊、第四邊、第二邊以及第三邊。
可選地,基于四條邊的角度信息,確定第一旋轉角度,包括:將第一角度與第二角度的平均值,確定為水平角度;將第三角度與第四角度的平均值,確定為豎直角度;將豎直角度與90°的差值,確定為旋轉豎直角度;將水平角度與旋轉豎直角度的平均值,確定為基準角度;將基準角度與目標角度之差,確定為第一旋轉角度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





