[發(fā)明專利]一種超高純銅靶材熱擠壓成型方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210280060.8 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114589212A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚力軍;潘杰;王學(xué)澤;周友平;慕二龍;汪焱斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | B21C25/02 | 分類號(hào): | B21C25/02;B21C23/14;B21C29/00;C23C14/34;C22F1/08 |
| 代理公司: | 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人: | 牛海燕 |
| 地址: | 315400 浙江省寧波市*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高純 銅靶材熱 擠壓 成型 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種超高純銅靶材熱擠壓成型方法,所述方法包括以下步驟:將超高純銅桿加熱至750?850℃,然后依次進(jìn)行熱擠壓和冷卻,得到超高純銅靶材;所述熱擠壓的擠壓模具為五級(jí)階梯式擴(kuò)展變形通道;所述擠壓模具加熱的溫度為650?700℃;所述五級(jí)階梯式擴(kuò)展變形通道的每一級(jí)的擴(kuò)展厚度均相同。本發(fā)明通過(guò)一次熱擠壓成型制作出銅靶材,設(shè)計(jì)的擠壓模具使銅板坯變形更加均勻,晶粒大小分布更均勻,更利于成型;所述成本低、工藝簡(jiǎn)單、效率高,制備的銅板坯晶粒尺寸為20?30μm,晶粒均一。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于擠壓成型技術(shù),尤其涉及一種超高純銅靶材熱擠壓成型方法。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示器具有重量輕、平板化、低功耗、無(wú)輻射、顯示品質(zhì)優(yōu)良等特點(diǎn),在液品屏幕、液品電視等行業(yè)廣泛應(yīng)用。隨著超大規(guī)模集成電路的日益發(fā)展,半導(dǎo)體用芯片尺寸已經(jīng)縮小到納米級(jí)別,金屬互連線的RC延遲和電遷移現(xiàn)象成為影響芯片性能的主要因素,傳統(tǒng)的鋁及鋁合金互連線已經(jīng)不能夠滿足超大規(guī)模集成電路工藝制程的需求。與鋁相比,高純銅和銅合金因其高電遷移抗力和低電阻,被用作互連線材料,對(duì)于降低芯片互連線電阻、提高其運(yùn)算速度具有重要意義。隨之,用于銅的成膜的濺射用高純銅靶材的研究也在不斷地進(jìn)行。
CN110578126B公開(kāi)了一種多規(guī)格高純銅靶材的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:將高純銅錠坯加熱至700-950℃;然后對(duì)加熱后的高純銅錠進(jìn)行多道次熱軋后冷卻至室溫;對(duì)冷卻后的銅靶坯采用校平機(jī)進(jìn)行校平;對(duì)校平后的銅靶坯按需進(jìn)行切割,再依次進(jìn)行粗加工和精加工,得到高純銅靶材。所述制備方法采用多次熱軋?zhí)幚砜刂凭Я#杀靖摺?/p>
CN110318024B公開(kāi)了一種銀銅合金靶材的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:將銅和銀在保護(hù)氣氛下進(jìn)行熔煉,得到液態(tài)合金;得到的液態(tài)合金進(jìn)行噴射沉積處理,得到銀銅合金鑄錠;然后依次進(jìn)行均勻化退火、ECAP擠壓、低溫退火、鐓粗變形和軋制處理,得到銀銅合金粗錠;得到的銀銅合金粗錠進(jìn)行再結(jié)晶退火處理,得到銀銅合金靶材。所述制備方法采用傳統(tǒng)銅靶制備方法,主要通過(guò)冶金方法真空熔煉制備超高純銅鑄錠,接著借助鐓粗、軋制對(duì)其進(jìn)行塑性變形,所述制備方法工序相對(duì)繁瑣、制造周期長(zhǎng)且制造成本較高。
因此,亟需開(kāi)發(fā)一種成本低、制造工藝相對(duì)簡(jiǎn)單且易于工業(yè)化生產(chǎn)的超高純銅靶材制備方法,
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種超高純銅靶材熱擠壓成型方法,通過(guò)一次熱擠壓成型制作出銅靶材,設(shè)計(jì)的擠壓模具使銅板坯變形更加均勻,晶粒大小分布更均勻,更利于成型;所述成本低、工藝簡(jiǎn)單、效率高。
為達(dá)到此發(fā)明目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種超高純銅靶材熱擠壓成型方法,所述方法包括以下步驟:將超高純銅桿加熱至750-850℃,然后依次進(jìn)行熱擠壓和冷卻,得到超高純銅靶材。
本發(fā)明中,所述超高純銅桿加熱的溫度為750-850℃,例如可以是750℃、760℃、770℃、780℃、790℃、800℃、810℃、820℃、830℃、840℃或850℃等,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
本發(fā)明中,所述超高純的含義是純度在99.9999%以上。
本發(fā)明所述超高純銅靶材熱擠壓成型方法,通過(guò)一次熱擠壓成型制作出銅靶材,成本低、工藝簡(jiǎn)單以及效率高,所述方法成型的銅靶材晶粒細(xì)小均勻,經(jīng)過(guò)擠壓成型的銅板坯內(nèi)部組織無(wú)缺陷。
作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案,所述超高純銅桿的直徑為10-20mm,例如可以是10mm、11mm、12mm、13mm、14mm、15mm、16mm、17mm、18mm、19mm或20mm等,但不限于所列舉的數(shù)值,數(shù)值范圍內(nèi)其它未列舉的數(shù)值同樣適用。
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