[發明專利]一種銀反射鏡、銀反射鏡制備方法及LED芯片在審
| 申請號: | 202210278346.2 | 申請日: | 2022-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN114709310A | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 李文濤;孫嘉玉;劉偉;簡弘安;張星星;胡加輝;金從龍;顧偉 | 申請(專利權)人: | 江西兆馳半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/10 | 分類號: | H01L33/10;C30B23/00;C30B29/02;C30B29/68;H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司: | 南昌旭瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 36150 | 代理人: | 劉紅偉 |
| 地址: | 330000 江西省南昌市南*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 反射 制備 方法 led 芯片 | ||
本發明提供一種銀反射鏡、銀反射鏡制備方法及LED芯片,銀反射鏡包括應力緩沖層,所述應力緩沖層為Ti層和Pt層依次層疊的周期性結構,通過該結構可以大幅降低現有銀反射鏡的應力,解決銀反射鏡脫落問題,提升發光二極管芯片良率,具體的,還可通過調整Ti層和Pt層的厚度來改變銀反射鏡的應力。
技術領域
本發明涉及LED技術領域,特別涉及一種銀反射鏡、銀反射鏡制備方法及LED芯片。
背景技術
發光二極管(Light Emitting Diode,簡稱:LED)是一種能發光的半導體電子元件,由于其體積小、亮度高、能耗低等特點,吸引了越來越多研究者的注意。
發光二極管芯片以其綠色環保、節能高效、可靠性高等眾多優點廣泛的應用于照明及顯示兩大領域,近年來隨著國家政策的支持以及各生產廠商良好的競爭,發光二極管芯片的工藝快速進步,逐漸演變出正裝結構,倒裝結構,垂直結構等,其中,倒裝結構和垂直結構的發光二極管都需要反射鏡對二極管有源區發出的光進行反射,提升二極管的發光效率,但傳統的銀反射鏡應力較大,導致銀反射鏡制備在晶圓上之后,晶圓部分區域的銀反射鏡存在脫落的風險,最終造成發光二極管芯片的良率損失,如何解決銀反射鏡脫落問題,已經成為亟待解決的問題。
發明內容
基于此,本發明的目的是提供一種銀反射鏡、銀反射鏡制備方法及LED芯片,旨在解決現有技術中,銀反射鏡應力較大,在制備發光二極管芯片的過程中容易脫落的問題。
根據本發明實施例當中的一種銀反射鏡,其特征在于,包括應力緩沖層,所述應力緩沖層為Ti層和Pt層依次層疊的周期性結構。
優選地,所述銀反射鏡還包括反射層、保護層、阻擋刻蝕層和粘附層,且所述反射層、所述保護層、所述應力緩沖層、所述阻擋刻蝕層以及所述粘附層依次層疊。
優選地,所述Ti層的厚度為1000?~50000?,所述Pt層的厚度為200?~20000?。
優選地,所述反射層的厚度為500?~3000?,所述保護層的厚度為100?~2000?,所述阻擋刻蝕層的厚度為100?~20000?,所述粘附層的厚度為50?~200?。
優選地,所述反射層為Ag層,所述保護層為Ni層,所述阻擋刻蝕層為Au層、Pt層或者Au層和Pt層依次層疊的混合層,所述粘附層為Ti層。
優選地,所述阻擋刻蝕層中Au層的厚度為500?~20000?,所述阻擋刻蝕層中Pt層的厚度為100?~3000?。
根據本發明實施例當中的一種銀反射鏡的制備方法,用于制備上述的銀反射鏡,所述制備方法包括:
沉積應力緩沖層時,控制Ti層和Pt層依次交替層疊。
優選地,所述制備方法還包括:
提供一晶圓;
在所述晶圓上依次層疊反射層、保護層、所述應力緩沖層、阻擋刻蝕層以及粘附層。
優選地,所述控制Ti層和Pt層依次交替層疊的周期為2個~10個。
根據本發明實施例當中的一種LED芯片,包括上述的銀反射鏡。
與現有技術相比:通過在銀反射鏡中設置應力緩沖層,應力緩沖層為Ti層和Pt層依次層疊的周期性超晶格結構,該結構可以大幅降低現有銀反射鏡的應力,解決銀反射鏡脫落問題,提升發光二極管芯片良率,具體的,還可通過調整Ti層和Pt層的厚度來改變銀反射鏡的應力。
附圖說明
圖1為本發明實施例一當中的銀反射鏡的結構示意圖;
圖2為本發明實施例一中的應力緩沖層的結構示意圖;
圖3為本發明實施例二當中的銀反射鏡的制備方法的流程圖;
圖4為本發明實施例三當中的銀反射鏡的結構示意圖;
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