[發明專利]封裝結構的制作方法及封裝結構

有效

• 申請號: 202210272339.1
• 申請日: 2022-03-18
• 公開（公告）號: CN114639639B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 孟懷宇;沈亦晨;王宏杰
• 申請（專利權）人: 上海曦智科技有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L25/18;G02B6/122;G02B6/42
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 方世棟

1.一種封裝結構的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半導體晶片，所述半導體晶片包括多個第一半導體芯片，每個所述第一半導體芯片具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面上設置有光耦合區以及圍繞所述光耦合區的非光耦合區，所述光耦合區內設置有光耦合接口；

針對每個所述第一半導體芯片，提供與該第一半導體芯片對應的至少一個第二半導體芯片以及至少一個裸硅片，并將所述至少一個第二半導體芯片以及所述至少一個裸硅片分別固定在該第一半導體芯片的所述第一表面的所述非光耦合區上，其中，所述至少一個裸硅片環繞所述光耦合區。

2.如權利要求1所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，

所述至少一個裸硅片僅包括一個裸硅片，并且在垂直于對應的第一半導體芯片的所述第一表面的方向上，所述裸硅片具有鏤空結構，以露出所述光耦合區。

3.如權利要求1所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，

所述至少一個裸硅片包括多個裸硅片，并且在平行于對應的第一半導體芯片的所述第一表面的方向上，將所述多個裸硅片以拼接的方式固定在所述光耦合區的周邊。

4.如權利要求1至3中任意一項所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，

針對每個所述第一半導體芯片，與該第一半導體芯片對應的所述至少一個裸硅片所占的面積以及所述至少一個第二半導體芯片所占的面積之和大于該第一半導體芯片的所述第一表面所占面積的70％。

5.如權利要求4所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，

在垂直于對應的第一半導體芯片的所述第一表面的方向上，所述至少一個裸硅片的遠離所述第一表面的一側頂面與所述至少一個第二半導體芯片的遠離所述第一表面的一側頂面齊平。

6.如權利要求1所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在將與每個第一半導體芯片對應的至少一個第二半導體芯片以及至少一個裸硅片固定在所述第一半導體芯片上之后，對所述半導體晶片進行切割以得到多個分離的芯片封裝組件，每個所述芯片封裝組件包括一個第一半導體芯片、對應的至少一個第二半導體芯片以及對應的至少一個裸硅片。

7.如權利要求6所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在得到多個分離的所述芯片封裝組件之后，將每個所述芯片封裝組件安裝至對應的基底上。

8.如權利要求7所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在將所述芯片封裝組件安裝至對應的基底上之后，將導光結構或者激光器芯片安裝至所述第一半導體芯片的所述光耦合接口上。

9.如權利要求1所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，所述半導體晶片包括：

第一承載基板，所述第一承載基板與所述多個第一半導體芯片的所述第二表面臨時鍵合，以用于臨時承載所述半導體晶片。

10.如權利要求9所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在將所述至少一個第二半導體芯片以及所述至少一個裸硅片分別固定在對應的第一半導體芯片的所述第一表面的非光耦合區上之前，在每個所述第一半導體芯片內制作多個金屬連接柱，并將每個所述金屬連接柱的兩側表面分別從所述第一半導體芯片的兩側表面露出。

11.如權利要求10所述的封裝結構的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

在將每個所述金屬連接柱的兩側表面從所述第一半導體芯片的表面露出之后，在每個所述金屬連接柱露出的一側表面上制作第一導電凸點。