[發明專利]溫度控制的反應室

在審

• 申請號: 202210270957.2
• 申請日: 2022-03-18
• 公開（公告）號: CN115110061A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 吉川潤
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

一種用于處理襯底的設備可以包括：設置有室壁的反應室；設置在壁上的閘閥；可操作地連接到閘閥的襯底傳送室；襯底傳送機器人，其設置在襯底傳送室內，用于通過閘閥在反應室和襯底傳送室之間傳送襯底；襯底支撐件，其設置有設置在反應室內的加熱器；以及設置在與閘閥相對的壁上的冷卻器。

技術領域

本公開總體涉及一種襯底處理設備，尤其涉及一種溫度控制的反應室，其有助于在襯底上的反應室內的表面上的更均勻處理。

背景技術

集成電路包括通過各種技術沉積的多層材料，包括化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、等離子體增強CVD(PECVD)和等離子體增強ALD(PEALD)。因此，在半導體襯底上沉積材料是制造集成電路過程中的關鍵步驟。在襯底表面上執行均勻的處理是重要的，但處理結果經常由于各種原因而變化，例如溫度分布、閘閥方向和/或電場強度的不均勻性。

出現不均勻溫度的主要原因是由于朝向連接到晶片傳送室的閘閥的大的熱通量的存在。結果，閘閥側的室壁的溫度總是變得低于相對側的溫度。

本部分中闡述的任何討論(包括對問題和解決方案的討論)已被包括在本公開中，僅僅是為了提供本公開的背景，并且不應被認為是承認任何或所有討論在本發明被做出時是已知的或以其他方式構成現有技術。

發明內容

提供本發明內容是為了以簡化的形式介紹一些概念。這些概念在以下公開的示例實施例的詳細描述中被進一步詳細描述。本發明內容不旨在標識所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護的主題的范圍。

在一些實施例中，提供了一種用于處理襯底的設備。該裝置包括：設置有室壁的反應室；設置在壁上的閘閥；可操作地連接到閘閥的襯底傳送室；襯底傳送機器人，其設置在襯底傳送室內，用于通過閘閥在反應室和襯底傳送室之間傳送襯底；襯底支撐件，其設置有設置在反應室內的加熱器；以及設置在與閘閥相對的壁上的冷卻器。

冷卻器可以設置有冷卻通道。該設備可以構造和/或布置成通過冷卻通道提供冷卻流體。冷卻流體可以是冷卻液體。冷卻液體可以包括通過冷卻通道的水和全氟聚醚中的一種。

可替代地，冷卻流體可以是冷卻氣體。冷卻氣體可以包括通過通道的空氣、氮氣和惰性氣體中的至少一種。

根據本公開的附加示例，該設備可以進一步包括設置在冷卻器和壁的內表面之間的絕緣體。

根據本公開的附加示例，該設備還可以包括設置在閘閥附近的壁上的壁加熱器。該設備還可以包括設置在閘閥附近的壁上的附加壁加熱器。該設備還可以包括設置在與閘閥相對的壁上的第二壁加熱器。

根據本公開的附加示例，該設備還可以包括控制器，用于控制冷卻器和至少一個壁加熱器的溫度?？刂破骺梢耘渲贸蓪⑴c閘閥相對的壁的第一部分的溫度和在閘閥附近的壁的一部分的溫度控制為相同值。

根據本公開的附加示例，該設備還可以包括氣體供應單元，其構造和布置成面向襯底支撐件。氣體供應單元可以包括設置有用于向襯底供應氣體的多個孔的噴淋頭。

通過參考附圖對某些實施例的以下詳細描述，這些和其他實施例對于本領域技術人員來說將變得顯而易見；本發明不限于所公開的任何特定實施例。

附圖說明

當結合以下說明性附圖考慮時，通過參考詳細描述和權利要求，可以獲得對本公開的示例性實施例的更完整理解。

圖1是用于處理襯底的設備的示意圖。

應當理解，附圖中的元件是為了簡單和清楚而示出的，并不一定是按比例繪制的。例如，圖中的一些元件的尺寸可能相對于其他元件被夸大，以有助于提高對本公開的所示實施例的理解。

具體實施方式