[發明專利]LDMOSFET器件、制作方法及芯片有效
| 申請號： | 202210270476.1 | 申請日： | 2022-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN114361244B | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發明（設計）人： | 余山;趙東艷;王于波;陳燕寧;付振;劉芳;王凱;吳波;鄧永峰;劉倩倩;郁文 | 申請（專利權）人： | 北京芯可鑒科技有限公司;北京智芯微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/08 | 分類號： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人： | 李紅 |
| 地址： | 102200 北京市昌平區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ldmosfet 器件 制作方法 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種LDMOSFET器件制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在形成有摻雜層（12）的半導體襯底（1）的選定區域上方形成漏極區（4）包括：
在形成有摻雜層（12）的半導體襯底（1）的上方涂布光刻膠；
曝光、顯影，使得僅半導體襯底（1）的選定區域上方被光刻膠覆蓋；
干法刻蝕，去除光刻膠未覆蓋區域的摻雜層（12），保留光刻膠覆蓋區域的摻雜層（12）作為漏極區（4）；
去除漏極區（4）上方覆蓋的光刻膠；
采用離子注入工藝在所述半導體襯底（1）中形成源極區（11）、體區（6）和漂移區（5）；
在半導體襯底（1）的選定區域上方形成柵極（7）；
所述漏極區（4）與所述漂移區（5）相接。
2.根據權利要求1所述的LDMOSFET器件制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括：
在形成所述源極區（11）、體區（6）以及漂移區（5）之前，采用離子注入工藝在所述半導體襯底（1）中形成高壓阱區；
在形成所述源極區（11）、體區（6）以及漂移區（5）之后，在所述半導體襯底（1）上制作淺溝槽隔離區（9）。
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