[發明專利]LDMOSFET器件、制作方法及芯片

有效

• 申請號: 202210270476.1
• 申請日: 2022-03-18
• 公開（公告）號: CN114361244B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 余山;趙東艷;王于波;陳燕寧;付振;劉芳;王凱;吳波;鄧永峰;劉倩倩;郁文
• 申請（專利權）人: 北京芯可鑒科技有限公司;北京智芯微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 李紅

本發明提供一種LDMOSFET器件、制作方法及芯片，屬于芯片領域。所述LDMOSFET器件包括：半導體襯底、柵極、源極區、漏極區、體區以及漂移區，所述體區以及漂移區形成在所述半導體襯底內，所述柵極形成在半導體襯底的上方，且一端與所述體區相連，另一端位于所述漂移區上方，所述源極區形成在所述體區內且位于柵極的一側；所述漏極區形成在所述柵極的另一側，所述漏極區形成在所述半導體襯底上方與所述漂移區相接。該LDMOSFET器件將漏極區設置在半導體襯底的上方，不占漂移區的部分區域，不影響漂移區擊穿電壓的提升效果，不增加導通電阻。

技術領域

本發明涉及芯片技術領域，具體地涉及一種LDMOSFET器件，一種LDMOSFET器件制作方法以及一種芯片。

背景技術

雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（Double-diffused MOS，簡稱DMOS）具有耐壓高、功耗低、大電流驅動能力等特點，廣泛采用于電源管理電路中。雙擴散金屬氧化物半導體場效應管主要有兩種類型，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（Vertical Double-diffused MOSFET，簡稱VDMOSFET）和橫向雙擴散金屬氧化物半導體場效應管（LateralDouble-diffused MOSFET，簡稱LDMOSFET）。

對于LDMOSFET特征導通電阻（Specific on-Resistance，Rsp）和擊穿電壓（Breakdown Voltage，BV）是兩個重要的指標，其外延層的厚度、摻雜濃度、漂移區的長度是最重要的特性參數。

通常，在制造高壓LDMOSFET的過程中，需要在LDMOSFET的漏端設置漂移區（Drift），以承受電壓。漂移區越大，擊穿電壓通常越高。對于LDMOSFET器件來說，擊穿電壓越高，性能越好。如何提高擊穿電壓一直是LDMOSFET器件設計的難題。

發明內容

本發明實施方式的目的是提供一種LDMOSFET器件、制作方法及芯片，該LDMOSFET器件將漏極區設置在半導體襯底的上方，不占漂移區的部分區域，不影響漂移區擊穿電壓的提升效果，不增加導通電阻。

為了實現上述目的，本發明第一方面提供一種LDMOSFET器件，包括：半導體襯底、柵極、源極區、漏極區、體區以及漂移區，所述體區以及漂移區形成在所述半導體襯底內，所述柵極形成在半導體襯底的上方，且一端與所述體區相連，另一端位于所述漂移區上方，所述源極區形成在所述體區內且位于柵極的一側；所述漏極區形成在所述柵極的另一側，所述漏極區形成在所述半導體襯底上方與所述漂移區相接。

進一步地，所述LDMOSFET器件還包括：埋區和高壓阱區；

所述高壓阱區包括第一導電類型阱區和第二導電類型阱區；所述埋區位于所述第一導電類型阱區的下方，所述第二導電類型阱區形成在所述第一導電類型阱區的兩側；所述漂移區和所述體區位于第一導電類型阱區內，且所述漂移區位于所述體區的兩側。

進一步地，所述LDMOSFET器件還包括：淺溝槽隔離區，所述淺溝槽隔離區的第一端形成在所述漂移區內，所述淺溝槽隔離區的第二端形成在所述第二導電類型阱區內。

進一步地，所述漂移區為第一導電類型漂移區，所述體區為第二導電類型體區，所述半導體襯底為第二導電類型的襯底。

進一步地，所述LDMOSFET器件還包括：場氧層，所述場氧層形成在所述半導體襯底與所述柵極之間，與所述柵極和所述漂移區相接。

進一步地，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型；或者所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型。

本發明第二方面提供一種LDMOSFET器件制作方法，所述制作方法包括：

在形成有摻雜層的半導體襯底的選定區域上方形成漏極區；

采用離子注入工藝在所述半導體襯底中形成源極區、體區和漂移區；