[發明專利]半導體存儲器裝置和半導體存儲器裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202210268248.0
• 申請日: 2022-03-18
• 公開（公告）號: CN115548026A
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 崔康植
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/1157
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 原宏宇;孫東喜

1.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

第一導電柵極接觸部；

第一接觸部絕緣圖案，所述第一接觸部絕緣圖案圍繞所述第一導電柵極接觸部；

第一導電圖案，所述第一導電圖案圍繞所述第一接觸部絕緣圖案；以及

第二導電圖案，所述第二導電圖案設置在所述第一導電圖案上方，所述第二導電圖案圍繞所述第一導電柵極接觸部，

其中，所述第二導電圖案包括：

第一邊緣部，所述第一邊緣部與所述第一接觸部絕緣圖案交疊，所述第一邊緣部與所述第一導電柵極接觸部接觸；以及

第一基部，所述第一基部通過所述第一邊緣部與所述第一導電柵極接觸部間隔開，從所述第一邊緣部延伸遠離所述第一導電柵極接觸部，并且所述第一基部比所述第一邊緣部更厚。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一導電圖案包括：

第二基部，所述第二基部與所述第二導電圖案的所述第一邊緣部交疊，所述第二基部比所述第一邊緣部更厚；以及

第二邊緣部，所述第二邊緣部從所述第二基部延伸，所述第二邊緣部比所述第二基部更薄。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括第二導電柵極接觸部，所述第二導電柵極接觸部由所述第一導電圖案的所述第二邊緣部圍繞，所述第二導電柵極接觸部具有與所述第二邊緣部接觸的側壁。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

層間絕緣層，所述層間絕緣層位于所述第一導電圖案和所述第二導電圖案之間；

側壁絕緣層，所述側壁絕緣層沿著所述第一導電圖案、所述第二導電圖案和所述層間絕緣層的側壁延伸；

導電垂直接觸部，所述導電垂直接觸部位于所述側壁絕緣層上；以及

阻擋絕緣層，所述阻擋絕緣層沿著所述第一導電圖案和所述第二導電圖案中的每一個的表面延伸。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，所述阻擋絕緣層包括面向所述側壁絕緣層的第一開口和面向所述第一導電柵極接觸部的第二開口，并且

其中，所述第二開口比所述第一開口更窄。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

虛設接觸部，所述虛設接觸部貫穿所述第一導電圖案和所述第二導電圖案；

第二接觸部絕緣圖案，所述第二接觸部絕緣圖案設置在所述虛設接觸部與所述第一導電圖案和所述第二導電圖案中的至少一個之間；以及

上絕緣層，所述上絕緣層位于所述虛設接觸部的頂面上。

7.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

水平摻雜半導體圖案；

階梯式層疊結構，所述階梯式層疊結構包括交替層疊在所述水平摻雜半導體圖案上的多個層間絕緣層和多個導電圖案，所述階梯式層疊結構包括與所述水平摻雜半導體圖案交疊的單元區域和從所述單元區域延伸的接觸區域；

單元溝道層，所述單元溝道層與所述水平摻雜半導體圖案接觸，所述單元溝道層貫穿所述階梯式層疊結構的所述單元區域；

多個導電柵極接觸部，所述多個導電柵極接觸部貫穿所述階梯式層疊結構的所述接觸區域，所述多個導電柵極接觸部延伸到所述水平摻雜半導體圖案所設置在的高度；以及

保護層，所述保護層貫穿所述多個導電柵極接觸部中的每一個的側壁。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中，所述多個導電柵極接觸部包括彼此間隔開的第一導電柵極接觸部和第二導電柵極接觸部，并且

其中，所述多個導電圖案包括：

第一導電圖案，所述第一導電圖案圍繞所述第一導電柵極接觸部和所述第二導電柵極接觸部；以及

第二導電圖案，所述第二導電圖案設置在所述第一導電圖案上方，所述第二導電圖案與所述第二導電柵極接觸部間隔開。