[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210264942.5
• 申請(qǐng)日: 2022-03-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114709251A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉忠杰;徐俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 蘇蕾

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法，所述薄膜晶體管包括基板，柵極，柵絕緣層，溝道層，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，源極和漏極，以及第一氧化層。所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間具有第一開(kāi)口以露出部分所述溝道層，所述第一氧化層覆蓋所述溝道層露出的表面，從而可以將溝道層與外界隔離，避免后續(xù)制程或環(huán)境附著物對(duì)溝道層的影響，進(jìn)而可以提高和優(yōu)化薄膜晶體管的性能和穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著市場(chǎng)的需求變化，面板逐漸向高解析度、窄方向發(fā)展，像素的尺寸越來(lái)越小，產(chǎn)品的設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)留給工藝的工藝窗口越來(lái)越小，對(duì)薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)結(jié)構(gòu)和工藝提出更高的器件要求。

如何提高和優(yōu)化TFT器件的性能和穩(wěn)定性是目前亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管及其制備方法，旨在提高和優(yōu)化TFT器件的性能和穩(wěn)定性。

一方面，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

柵極；

柵絕緣層，覆蓋所述柵極；

溝道層，位于所述柵絕緣層上；

第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，位于所述溝道層上，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間具有第一開(kāi)口以露出部分所述溝道層；

源極和漏極，所述源極位于所述第一半導(dǎo)體層上，所述漏極位于所述第二半導(dǎo)體層上；

第一氧化層，覆蓋所述溝道層露出的表面。

進(jìn)一步，所述第一氧化層位于所述溝道層上且位于所述第一開(kāi)口的底部。

進(jìn)一步，所述溝道層中形成有對(duì)應(yīng)所述第一開(kāi)口的凹槽，所述第一氧化層位于所述凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步，所述溝道層中形成有對(duì)應(yīng)所述第一開(kāi)口的凹槽，所述第一氧化層填充所述凹槽且位于所述第一開(kāi)口的底部。

進(jìn)一步，所述薄膜晶體管還包括：

第二氧化層，位于所述第一半導(dǎo)體層與所述第一開(kāi)口交界的側(cè)壁；

第三氧化層，位于所述第二半導(dǎo)體層與所述第一開(kāi)口交界的側(cè)壁。

進(jìn)一步，所述溝道層的材料包括非晶硅，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的材料包括N型非晶硅。

另一方面，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制備方法，所述薄膜晶體管的制備方法包括：

形成柵極；

形成覆蓋所述柵極的柵絕緣層；

形成位于所述柵絕緣層上的溝道層；

形成位于所述溝道層上的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間具有第一開(kāi)口以露出部分所述溝道層；

形成位于所述第一半導(dǎo)體層上的源極和位于所述第二半導(dǎo)體層上的漏極；

形成覆蓋所述溝道層露出的表面的第一氧化層。

進(jìn)一步，形成所述溝道層、所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層、所述源極、所述漏極和所述第一氧化層的步驟，包括：

在所述柵絕緣層上依次沉積溝道層、導(dǎo)電材料和源/漏極材料，所述溝道層、所述導(dǎo)電材料和所述源/漏極材料包括薄膜晶體管區(qū)和非薄膜晶體管區(qū)；

去除位于所述非薄膜晶體管區(qū)的所述源/漏極材料；

去除位于所述非薄膜晶體管區(qū)的所述溝道層和所述導(dǎo)電材料；