[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210264942.5
• 申請(qǐng)日: 2022-03-17
• 公開（公告）號(hào): CN114709251A
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉忠杰;徐俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 蘇蕾

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

柵極；

柵絕緣層，覆蓋所述柵極；

溝道層，位于所述柵絕緣層上；

第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，位于所述溝道層上，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間具有第一開口以露出部分所述溝道層；

源極和漏極，所述源極位于所述第一半導(dǎo)體層上，所述漏極位于所述第二半導(dǎo)體層上；

第一氧化層，覆蓋所述溝道層露出的表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一氧化層位于所述溝道層上且位于所述第一開口的底部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層中形成有對(duì)應(yīng)所述第一開口的凹槽，所述第一氧化層位于所述凹槽內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層中形成有對(duì)應(yīng)所述第一開口的凹槽，所述第一氧化層填充所述凹槽且位于所述第一開口的底部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

第二氧化層，位于所述第一半導(dǎo)體層與所述第一開口交界的側(cè)壁；

第三氧化層，位于所述第二半導(dǎo)體層與所述第一開口交界的側(cè)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層的材料包括非晶硅，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層的材料包括N型非晶硅。

7.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的制備方法包括：

形成柵極；

形成覆蓋所述柵極的柵絕緣層；

形成位于所述柵絕緣層上的溝道層；

形成位于所述溝道層上的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間具有第一開口以露出部分所述溝道層；

形成位于所述第一半導(dǎo)體層上的源極和位于所述第二半導(dǎo)體層上的漏極；

形成覆蓋所述溝道層露出的表面的第一氧化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，形成所述溝道層、所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層、所述源極、所述漏極和所述第一氧化層的步驟，包括：

在所述柵絕緣層上依次沉積溝道層、導(dǎo)電材料和源/漏極材料，所述溝道層、所述導(dǎo)電材料和所述源/漏極材料包括薄膜晶體管區(qū)和非薄膜晶體管區(qū)；

去除位于所述非薄膜晶體管區(qū)的所述源/漏極材料；

去除位于所述非薄膜晶體管區(qū)的所述溝道層和所述導(dǎo)電材料；

對(duì)所述源/漏極材料和所述導(dǎo)電材料進(jìn)行刻蝕，以在所述源/漏極材料的中部形成第二開口而形成所述源極和所述漏極，以及在導(dǎo)電材料中形成對(duì)應(yīng)所述第二開口的第一開口而形成所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層；

基于所述第一開口對(duì)部分所述溝道層進(jìn)行氧化，形成所述第一氧化層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述第一開口的底部與所述溝道層之間還具有剩余部分導(dǎo)電材料；所述基于所述第一開口對(duì)所述溝道層進(jìn)行氧化的步驟，包括：

基于所述第一開口對(duì)所述剩余部分導(dǎo)電材料和部分所述溝道層進(jìn)行氧化。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，形成所述溝道層、所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層、所述源極、所述漏極和所述第一氧化層的步驟，包括：

在所述柵絕緣層上依次沉積溝道層和導(dǎo)電材料，所述溝道層和所述導(dǎo)電材料包括薄膜晶體管區(qū)和非薄膜晶體管區(qū)；

去除位于所述非薄膜晶體管區(qū)的所述溝道層和所述導(dǎo)電材料；

在所述溝道層和所述導(dǎo)電材料上沉積源/漏極材料；

對(duì)所述源/漏極材料和所述導(dǎo)電材料進(jìn)行刻蝕，以在所述源/漏極材料的中部形成第二開口而形成所述源極和所述漏極，以及在導(dǎo)電材料中形成對(duì)應(yīng)所述第二開口的第一開口而形成所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層；

基于所述第一開口對(duì)部分所述溝道層進(jìn)行氧化，形成所述第一氧化層。