[發(fā)明專利]一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架及其合成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210262448.5 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114835909B | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王凱;羅學(xué)晶;滕青湖;梁福沛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 桂林理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C08G83/00 | 分類號(hào): | C08G83/00;C07F5/00;H01F1/42 |
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| 地址: | 541004 廣西壯*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 兼具 穩(wěn)定性 刺激 響應(yīng) 鏑基單 離子 磁體 分子 框架 及其 合成 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架及其合成方法。此框架分子式為[Dy(thqa)],單個(gè)分子由1個(gè)三(8?羥基喹啉?2?甲醛)縮三(2?氨乙基)胺席夫堿配體,以其3個(gè)酚氧原子、3個(gè)亞胺氮原子與3個(gè)喹啉氮原子共同螯合1個(gè)鏑離子而形成單核配合物結(jié)構(gòu)。各分子進(jìn)而通過分子間π···π堆積作用與相鄰的3個(gè)分子相連,形成超分子框架。熱重測試、各種溶劑與堿性溶液浸泡樣品的X?射線粉末衍射測試,分別表明了該框架良好的熱穩(wěn)定性、溶劑穩(wěn)定性與堿穩(wěn)定性。該框架呈現(xiàn)頻率依賴的單離子磁體行為,且具備雙重弛豫特征。而在施加光刺激后,其靜態(tài)與動(dòng)態(tài)磁學(xué)行為相對(duì)于光刺激前均有較大變化,表明該框架同時(shí)具備良好的光刺激響應(yīng)性。
技術(shù)領(lǐng)域
發(fā)明涉及新型分子基磁性材料的制備,特別是一種兼具光刺激響應(yīng)性與高化學(xué)穩(wěn)定性的鏑基單離子磁體超分子框架及其制備方法。
背景技術(shù)
單離子磁體以單個(gè)分子為磁疇單位,有望突破現(xiàn)有材料磁存儲(chǔ)密度的極限,是未來高密度信息存儲(chǔ)材料的重點(diǎn)發(fā)展對(duì)象之一。尤其是其中的鏑基單離子磁體,因鏑離子固有的強(qiáng)磁各向異性,在有效能壘和阻塞溫度等磁性能參數(shù)方面已取得可喜突破。然而,目前所開發(fā)的高性能鏑基單離子磁體,多數(shù)屬于金屬有機(jī)化合物的范疇。其合成條件較為苛刻,尤其是磁體本身的熱穩(wěn)定性與化學(xué)穩(wěn)定性不夠理想。發(fā)展高穩(wěn)定性的鏑基單離子磁體,開始成為該領(lǐng)域中亟待解決的重要技術(shù)問題之一。
作為一種外源性的刺激手段,光也能對(duì)單離子磁體的性能實(shí)施調(diào)控,喚起其磁行為的響應(yīng)。更重要的是,光特有的非侵入性、高可控性與高時(shí)間分辨率,為單離子磁體的實(shí)時(shí)與遠(yuǎn)程操控提供了可能,非常有助于磁體的器件化與智能化。但這種響應(yīng)的構(gòu)建須以光與磁性間的強(qiáng)關(guān)聯(lián)為前提,對(duì)磁體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提出了很高的要求。因而盡管此類光刺激響應(yīng)性單離子磁體極具吸引力與挑戰(zhàn)性,目前所報(bào)道與開發(fā)的相關(guān)體系寥寥無幾。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)上述現(xiàn)狀,提供一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架及其合成方法。
本發(fā)明涉及的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其特征在于其化學(xué)式為[Dy(thqa)],其中H3thqa代表三(8-羥基喹啉-2-甲醛)縮三(2-氨乙基)胺席夫堿配體。該框架結(jié)晶于三斜晶系,空間群。其晶胞參數(shù)為:α=90°,β=90°,γ=120°;Z=6,ρcalc(g/cm3)=1.7338g·cm–3,μ=2.582mm–1,F(xiàn)(000)=2310.2,R1[I=2σ(I)]=0.0185,w?R2[I=2σ(I)]=0.0461,R1(alldata)=0.0195,wR2(alldata)=0.0469;詳細(xì)的晶體學(xué)參數(shù)見下表1:
表1.基于鏑單離子磁體的超分子框架的晶體學(xué)參數(shù)。
一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其所包含的鏑基單離子磁體結(jié)構(gòu)單元,由一個(gè)脫質(zhì)子的thqa3-配體,以其所含的3個(gè)亞胺氮原子、3個(gè)酚氧原子和3個(gè)喹啉氮原子組成的配位口袋,共同螯合1個(gè)鏑離子而組成。經(jīng)SHAPE?2.0分析,該鏑中心為D3h對(duì)稱的九配位三帽三棱柱幾何構(gòu)型。在整個(gè)晶格之中,各鏑基單離子磁體通過配體之間的π···π相互作用,與相鄰的3個(gè)鏑基單離子磁體連接在一起,進(jìn)而形成具備3,6-拓?fù)錁?gòu)型的超分子框架。其中,相鄰分子配體之間形成π···π相互作用的兩個(gè)喹啉環(huán),其中心距離為而相鄰分子間Dy···Dy中心的距離均為
本發(fā)明涉及的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,是使用8-羥基喹啉-2-甲醛、三(2-氨基乙基)胺與DyCl3·6H2O為原料,以甲醇作為為溶劑,以三乙胺作為脫質(zhì)子堿,通過常規(guī)溶劑揮發(fā)法而制得。
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