[發(fā)明專利]一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架及其合成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210262448.5 | 申請日: | 2022-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN114835909B | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王凱;羅學晶;滕青湖;梁福沛 | 申請(專利權(quán))人: | 桂林理工大學 |
| 主分類號: | C08G83/00 | 分類號: | C08G83/00;C07F5/00;H01F1/42 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 541004 廣西壯*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 兼具 穩(wěn)定性 刺激 響應(yīng) 鏑基單 離子 磁體 分子 框架 及其 合成 方法 | ||
1.一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其特征在于其化學分子式為[Dy(thqa)],其中H3thqa代表三(8-羥基喹啉-2-甲醛)縮三(2-氨乙基)胺席夫堿配體;即,整個分子包括1個Dy3+離子與1個thqa3-配體;其晶體的晶胞參數(shù)為:α=90°,β=90°,γ=120°;,Z=6,ρcalc(g/cm3)=1.7338g·cm–3,μ=2.582mm–1,F(xiàn)(000)=2310.2,R1[I=2σ(I)]=0.0185,wR2[I=2σ(I)]=0.0461,R1(all?data)=0.0195,wR2(all?data)=0.0469;詳細晶體學參數(shù)見下表1:
表1.鏑基單離子磁體超分子框架的晶體學參數(shù)
2.權(quán)利要求1所述的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其空間結(jié)構(gòu)特征為:每個鏑基單離子磁體,由一個脫質(zhì)子的thqa3-配體,以其所含的3個亞胺氮原子、3個酚氧原子和3個喹啉氮原子組成的配位口袋,共同螯合1個鏑離子而組成;該鏑中心的配位幾何形狀為D3h對稱的九配位三帽三棱柱幾何構(gòu)型;在整個晶格之中,各個鏑基單離子磁體通過π···π相互作用,與相鄰的3個鏑基單離子磁體連接在一起,進而形成具備3,6-拓撲結(jié)構(gòu)的超分子框架;其中,相鄰分子間形成π···π相互作用的兩個喹啉環(huán),其中心的距離為而相鄰分子間Dy···Dy中心的距離均為
3.權(quán)利要求1所述的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其具體合成步驟為:
(1)將0.3mmol的8-羥基喹啉-2-甲醛和0.1mmol的3-(2-氨基乙基)胺溶于10mL無水甲醇,在40℃下攪拌30min;
(2)稱取0.2mmol的DyCl3·6H2O,加入上述溶液中,并在40℃下攪拌30min;隨后滴加4滴三乙胺,使用中性濾紙過濾;
(3)將濾液在室溫下緩慢揮發(fā),7天后得到八面體狀黑色晶體,即為權(quán)利要求1所述的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架。
4.權(quán)利要求1所述的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其熱重曲線在25-265℃間保持不變,此后框架方才開始失重。
5.權(quán)利要求1所述的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其單晶樣品在正己烷、CH2Cl2、CH3CN、CH3OH、C2H5OH、DMF以及H2O溶劑中浸泡48h后,其粉末X-射線衍射曲線與未浸泡的新鮮樣品的粉末X-射線衍射曲線能夠吻合。
6.權(quán)利要求1所述的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其單晶樣品在CH3ONa、C2H5ONa、Et3N、NH3·H2O以及NaOH溶液中浸泡48h后,其粉末X-射線衍射曲線均能與未浸泡的新鮮樣品的粉末X-射線衍射曲線能夠吻合。
7.權(quán)利要求1所述的一種兼具高穩(wěn)定性與光刺激響應(yīng)性的鏑基單離子磁體超分子框架,其變溫磁化率數(shù)據(jù)特征具體表現(xiàn)為:在1000Oe的外加直流場下,光刺激前的室溫χMT值為14.34cm3·K·mol-1,而光刺激后的室溫χMT值變?yōu)?5.35cm3·K·mol-1。
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