[發明專利]電池串互聯的方法及電池串互聯結構在審
| 申請號: | 202210261007.3 | 申請日: | 2022-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN114613883A | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發明(設計)人: | 徐進政;郭琦;龔道仁 | 申請(專利權)人: | 安徽華晟新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/05;H01L21/66;B23K26/22 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛異榮 |
| 地址: | 242000 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電池 串互聯 方法 聯結 | ||
1.一種電池串互聯的方法,包括:
提供若干電池串并將若干所述電池串并排排布,每一所述電池串的背面具有多行焊接點,每一行所述焊接點的排列方向與所述電池串并排排布的方向垂直;
提供導電箔連接帶,將所述導電箔連接帶放置在所述電池串的背面且與至少一行所述焊接點相對設置;
采用激光焊接工藝,將所述導電箔連接帶與并排排布的所述若干電池串的所述焊接點焊接在一起。
2.根據權利要求1所述的電池串互聯的方法,其特征在于,所述導電箔連接帶的厚度為0.1mm-0.4mm;
優選的,所述導電箔連接帶包括金屬箔;
優選的,所述金屬箔為鋁箔或者銅箔;
優選的,所述鋁箔的組分含量為:鋁的質量占比為98.3%-99.25%,硅的質量占比為0.05%-0.3%,鐵的質量占比為0.7%-1.3%,銅的質量占比為0%-0.05%,鋅的質量占比為0%-0.05%;
優選的,所述導電箔連接帶的硬度比所述焊接點的硬度小。
3.根據權利要求2所述的電池串互聯的方法,其特征在于,所述導電箔連接帶還包括:位于所述金屬箔表面的導電涂層,所述導電涂層的導電能力大于金屬箔的導電能力;
優選的,所述導電涂層包括納米導電石墨層、摻碳的銀層或者錫鉛合金層;
優選的,所述導電箔連接帶的電導率為60%-70%;
優選的,所述導電箔連接帶的反射率為90%-99%。
4.根據權利要求1所述的電池串互聯的方法,其特征在于,所述激光焊接工藝的參數包括:采用的激光波長為0.75μm-1000μm,激光焊接溫度為150℃-250℃,時間為10ms-900ms。
5.根據權利要求1-4任一項所述的電池串互聯的方法,其特征在于,還包括:進行所述激光焊接工藝之前,采用壓針對所述導電箔連接帶的部分表面施壓;
優選的,所述壓針的按壓高度為0.2mm-1mm。
6.根據權利要求5所述的電池串互聯的方法,其特征在于,所述壓針為實心壓針,所述壓針的按壓位置對應著所述焊接點之間的所述導電箔連接帶;或者,所述壓針為空心壓針,所述壓針的按壓位置對應所述焊接點。
7.根據權利要求1-4任一項所述的電池串互聯的方法,其特征在于,進行所述激光焊接工藝之后,還包括:采用圖像傳感器至少采集所述導電箔連接帶對應著所述焊接點的表面,通過所述導電箔連接帶表面的翹曲程度判斷所述焊接點與所述導電箔連接帶之間是否有虛焊;
優選的,所述圖像傳感器相對所述電池串的上表面傾斜放置,所述圖像傳感器的光接收面的中心至被檢測的所述焊接點的連線垂直于所述導電箔連接帶的延伸方向,所述圖像傳感器的光接收面的中心至被檢測的所述焊接點的連線與所述電池串的背面之間的夾角為30°-60°。
8.一種電池串互聯結構,其特征在于,包括:
若干個電池串,若干所述電池串并排排布,每一所述電池串的背面具有多行焊接點,每一行所述焊接點的排列方向與所述電池串并排排布的方向垂直;
導電箔連接帶,所述導電箔連接帶位于并排排布的所述電池串的背面且與至少一行所述焊接點焊接在一起。
9.根據權利要求8所述的電池串互聯結構,其特征在于,所述導電箔連接帶的厚度為0.1mm-0.4mm;
優選的,所述導電箔連接帶包括金屬箔;
優選的,所述金屬箔為鋁箔或者銅箔;
優選的,所述鋁箔的組分含量為:鋁的質量占比為98.3%-99.25%,硅的質量占比為0.05%-0.3%,鐵的質量占比為0.7%-1.3%,銅的質量占比為0%-0.05%,鋅的質量占比為0%-0.05%;
優選的,所述導電箔連接帶的硬度比所述焊接點的硬度小。
10.根據權利要求9所述的電池串互聯結構,其特征在于,所述導電箔連接帶還包括:位于所述金屬箔表面的導電涂層,所述導電涂層的導電能力大于金屬箔的導電能力;
優選的,所述導電涂層包括納米導電石墨層、摻碳的銀層或者錫鉛合金層;
優選的,所述導電箔連接帶的電導率為60%-70%;
優選的,所述導電箔連接帶的反射率為90%-99%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





