[發(fā)明專利]碳化硅外延基板及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210257615.7
• 申請(qǐng)日: 2022-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN115132818A
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三浦剛;市川穂高;木村直矢;奧田裕之;廣岡泰典
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立金屬株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/04
• 分類號(hào): H01L29/04;H01L29/16;H01L29/34;H01L21/02;C30B29/36;C30B23/02
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;謝弘

1.一種碳化硅外延基板，其特征在于，具有：

具有第一面的碳化硅基板；和

位于所述第一面的碳化硅外延層，

所述第一面為(000－1)C面，

在所述碳化硅外延層的上表面，線狀表面缺陷密度小于1.0cm^-2，并且疊層缺陷密度小于1.2cm^-2。

2.如權(quán)利要求1所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述線狀表面缺陷密度小于0.5cm^-2。

3.如權(quán)利要求1所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述線狀表面缺陷密度小于0.35cm^-2。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述疊層缺陷密度小于1.0cm^-2。

5.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述疊層缺陷密度小于0.35cm^-2。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位錯(cuò)密度小于3000cm^-2。

7.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位錯(cuò)密度小于2000cm^-2。

8.如權(quán)利要求6或7所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述線狀表面缺陷密度相對(duì)于所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位錯(cuò)密度的比例小于0.04％。

9.如權(quán)利要求6或7所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述疊層缺陷密度相對(duì)于所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位錯(cuò)密度的比例小于0.05％。

10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述第一面具有4°以下的偏角。

11.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的碳化硅外延基板，其特征在于：

所述第一面的表面粗糙度Ra為1nm以下。

12.一種碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于，包括：

準(zhǔn)備第一面為(000－1)C面的碳化硅基板的工序；和

在生長室內(nèi)保持所述碳化硅基板，向所述生長室內(nèi)導(dǎo)入以C/Si比為1以上1.6以下的比率含有碳和硅的氣體，使碳化硅外延層在所述第一面上生長的工序。

13.如權(quán)利要求12所述的碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于：

所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位錯(cuò)密度小于3000cm^-2。

14.如權(quán)利要求12所述的碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于：

所述碳化硅基板的所述第一面的基底面位錯(cuò)密度小于2000cm^-2。

15.如權(quán)利要求12～14中任一項(xiàng)所述的碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于：

所述第一面具有4°以下的偏角。

16.如權(quán)利要求12～15中任一項(xiàng)所述的碳化硅外延基板的制造方法，其特征在于：

所述第一面的表面粗糙度Ra為1nm以下。