[發明專利]芯片封裝結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202210252531.4
• 申請日: 2022-03-15
• 公開（公告）號: CN114725057A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 陳瑋佑;游濟陽;何冠霖;陳衿良;梁裕民;吳俊毅
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/16;H01L21/56
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 王素琴

本發明實施例提供一種芯片封裝結構，所述芯片封裝結構包括扇出型封裝，扇出型封裝含有至少一個半導體管芯、在側向上環繞所述至少一個半導體管芯的環氧模塑化合物(EMC)管芯框架及重布線結構。扇出型封裝具有倒角區，在倒角區處，扇出型封裝的水平表面及垂直表面經由既不水平也不垂直的斜角表面連接。芯片封裝結構可包括：封裝襯底，經由焊料材料部分陣列貼合到扇出型封裝；及底部填充材料部分，在側向上環繞焊料材料部分陣列且接觸整個斜角表面。斜角表面消除可集中有機械應力的尖銳隅角，且將倒角區中的局部機械應力分布在寬的區之上以防止底部填充材料部分中出現裂紋。本發明實施例還提供一種形成芯片封裝結構的方法。

技術領域

本發明實施例是有關于芯片封裝結構及形成芯片封裝結構的方法。

背景技術

在后續對扇出型晶片級封裝(fan-out wafer level package，FOWLP)、底部填充材料部分及封裝襯底的裝配處置(例如，將所述封裝襯底貼合到印刷電路板(printedcircuit board，PCB))期間，FOWLP與底部填充材料部分之間的界面會經受機械應力。另外，在用于計算裝置期間(例如，當移動裝置在使用期間意外地掉落而導致機械沖擊時)，扇出型晶片級封裝(FOWLP)與底部填充材料部分之間的界面會經受機械應力。裂紋可形成在底部填充材料中，且可在半導體管芯內或封裝襯底內的半導體管芯、焊料材料部分、重布線結構和/或各種介電層中引發額外的裂紋。因此，需要抑制底部填充材料中裂紋的形成。

發明內容

本發明實施例所揭露的一種芯片封裝結構，包括扇出型封裝，所述扇出型封裝包括至少一個半導體管芯、在側向上環繞所述至少一個半導體管芯的環氧模塑化合物管芯框架及位于所述至少一個半導體管芯的水平表面及所述環氧模塑化合物管芯框架的水平表面上的重布線結構，其中所述扇出型封裝具有倒角區，在所述倒角區處，所述扇出型封裝的水平表面與垂直表面經由既不水平也不垂直的斜角表面連接；封裝襯底，經由焊料材料部分陣列貼合到所述扇出型封裝；以及底部填充材料部分，在側向上環繞所述焊料材料部分陣列且接觸整個所述斜角表面。

本發明實施例所揭露的一種包括扇出型封裝的結構，所述扇出型封裝包括至少一個半導體管芯；環氧模塑化合物(EMC)管芯框架，在側向上環繞所述至少一個半導體管芯；以及重布線結構，位于所述至少一個半導體管芯的水平表面及所述環氧模塑化合物管芯框架的水平表面上，其中所述扇出型封裝具有倒角區，所述倒角區包括既不水平也不垂直的斜角表面，且所述斜角表面中的每一者包括所述重布線結構的表面部份及所述環氧模塑化合物管芯框架的表面部份。

本發明實施例所揭露的一種形成芯片封裝結構的方法，包括形成扇出型封裝，所述扇出型封裝包括至少一個半導體管芯、在側向上環繞所述至少一個半導體管芯的環氧模塑化合物管芯框架、及位于所述至少一個半導體管芯的水平表面及所述環氧模塑化合物管芯框架的水平表面上的重布線結構；在所述扇出型封裝的隅角處形成倒角區，其中所述倒角區包括既不水平也不垂直的斜角表面；將所述扇出型封裝通過焊料材料部分陣列貼合到封裝襯底；以及在所述封裝襯底與所述扇出型封裝之間施加底部填充材料部分，其中所述底部填充材料部分在側向上環繞并接觸所述斜角表面。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，能最好地理解本公開的各個方面。注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并未按比例繪制。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A是根據本公開實施例的包括載體襯底及半導體管芯的例示性結構的區的垂直剖視圖。

圖1B是圖1A的例示性結構的俯視圖。

圖2是根據本公開實施例的在形成環氧模塑化合物(epoxy molding compound，EMC)基質之后例示性結構的區的垂直剖視圖。

圖3是根據本公開實施例的在將環氧模塑化合物(EMC)基質平坦化之后例示性結構的區的垂直剖視圖。