[發明專利]芯片封裝結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202210252531.4
• 申請日: 2022-03-15
• 公開（公告）號: CN114725057A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 陳瑋佑;游濟陽;何冠霖;陳衿良;梁裕民;吳俊毅
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/16;H01L21/56
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 王素琴

1.一種芯片封裝結構，包括：

扇出型封裝，包括至少一個半導體管芯、在側向上環繞所述至少一個半導體管芯的環氧模塑化合物管芯框架及位于所述至少一個半導體管芯的水平表面及所述環氧模塑化合物管芯框架的水平表面上的重布線結構，其中所述扇出型封裝具有倒角區，在所述倒角區處，所述扇出型封裝的水平表面與垂直表面經由既不水平也不垂直的斜角表面連接；

封裝襯底，經由焊料材料部分陣列貼合到所述扇出型封裝；以及

底部填充材料部分，在側向上環繞所述焊料材料部分陣列且接觸整個所述斜角表面。

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其中：

所述扇出型封裝包括四個倒角區，所述四個倒角區位于所述扇出型封裝的與所述封裝襯底面對的近側水平表面的四個隅角處；且

所述斜角表面中的每一者整個地接觸所述底部填充材料部分。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其中所述斜角表面的邊緣鄰接所述環氧模塑化合物管芯框架的垂直側壁、所述重布線結構的垂直側壁及所述重布線結構的與所述底部填充材料部分接觸的水平表面。

4.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其中所述斜角表面中的每一者包括：

斜角重布線結構表面部份，包括所述重布線結構內的重布線介電層的相應的表面；以及

斜角環氧模塑化合物管芯框架表面部份，包括所述環氧模塑化合物管芯框架的相應的表面。

5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其中所述斜角表面中的每一者包括整個地容置在相應的二維歐幾里得平面內的相應的平整斜表面。

6.根據權利要求5所述的芯片封裝結構，其中所述平整斜表面中的每一者相對于垂直方向成介于20度到80度范圍內的角度。

7.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其中所述斜角表面中的每一者包括相對于垂直方向具有可變錐度角的相應的凸表面，所述可變錐度角隨著距包括所述扇出型封裝與所述底部填充材料部分之間的水平界面的水平面的垂直距離增大而減小。

8.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其中所述至少一個半導體管芯的水平表面與所述環氧模塑化合物管芯框架的不與所述底部填充材料部分接觸的遠側水平表面位于同一水平面內。

9.一種包括扇出型封裝的結構，所述扇出型封裝包括：

至少一個半導體管芯；

環氧模塑化合物(EMC)管芯框架，在側向上環繞所述至少一個半導體管芯；以及

重布線結構，位于所述至少一個半導體管芯的水平表面及所述環氧模塑化合物管芯框架的水平表面上，其中所述扇出型封裝具有倒角區，所述倒角區包括既不水平也不垂直的斜角表面，且所述斜角表面中的每一者包括所述重布線結構的表面部份及所述環氧模塑化合物管芯框架的表面部份。

10.一種形成芯片封裝結構的方法，包括：

形成扇出型封裝，所述扇出型封裝包括至少一個半導體管芯、在側向上環繞所述至少一個半導體管芯的環氧模塑化合物管芯框架、及位于所述至少一個半導體管芯的水平表面及所述環氧模塑化合物管芯框架的水平表面上的重布線結構；

在所述扇出型封裝的隅角處形成倒角區，其中所述倒角區包括既不水平也不垂直的斜角表面；

將所述扇出型封裝通過焊料材料部分陣列貼合到封裝襯底；以及

在所述封裝襯底與所述扇出型封裝之間施加底部填充材料部分，其中所述底部填充材料部分在側向上環繞并接觸所述斜角表面。