[發(fā)明專(zhuān)利]一種散熱高頻IC封裝用載板及其制備工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210248627.3
• 申請(qǐng)日: 2022-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114867185B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳應(yīng)峰;吳海兵
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇耀鴻電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05K1/02
• 分類(lèi)號(hào): H05K1/02;H05K1/03;H05K1/18
• 代理公司: 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11676
• 代理人: 張強(qiáng)

本發(fā)明公開(kāi)了一種散熱高頻IC封裝用載板，包括基板、線路板和絕緣層，所述基板包括有氮化硅陶瓷層、介電層、銅箔層，所述基板上通過(guò)焊墊固定設(shè)置有線路板，所述焊墊貫穿銅箔層并嵌入設(shè)置于介電層內(nèi)部，且所述線路板與基板之間填充有涂層，所述線路板遠(yuǎn)離基板的一側(cè)設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層上配置有圖案化導(dǎo)電層。本發(fā)明基板采用氮化硅陶瓷層、介電層和銅箔層組成，利用焊墊將基板與線路板固定，焊墊的一端伸入到基板內(nèi)部與基板中的介電層接觸，焊墊采用Ag?Cu?Ti系焊料，導(dǎo)熱效果較好，而介電層采用改性聚酰亞胺樹(shù)脂、納米混合材料和填料組成，在保證介電層不影響信號(hào)傳輸?shù)那闆r下能夠有效提高介電層的導(dǎo)熱性能，從而提高基板的散熱效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及封裝載板技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種散熱高頻IC封裝用載板及其制備工藝。

背景技術(shù)

芯片封裝是為芯片提供適當(dāng)?shù)男盘?hào)路徑、導(dǎo)熱路徑以及結(jié)構(gòu)保護(hù)。傳統(tǒng)的打線技術(shù)通常是采用導(dǎo)線架作為芯片的承載器。隨著芯片的接點(diǎn)密度逐漸提高，導(dǎo)線架已經(jīng)無(wú)法在提供更高的接點(diǎn)密度，因此可以采用具有高接點(diǎn)密度的封裝載板取而代之，并通過(guò)金屬導(dǎo)線或凸塊等導(dǎo)電媒體，將芯片封裝至封裝載板上。通常封裝載板的制作以核心介電層作為芯材，并利用全加成法、半加成法、減成法或其他方式，將多層的圖案化線路層與圖案化介電層交錯(cuò)堆疊于核心介電層上，這樣核心介電層在封裝載板的整體厚度上便會(huì)占相當(dāng)大的比例。若無(wú)法有效地縮減核心介電層的厚度，勢(shì)必會(huì)使封裝結(jié)構(gòu)于厚度縮減上產(chǎn)生極大的障礙。

過(guò)去，電路板包含的電子元件(如IC芯片等)通常直接形成于電路板的表面。在電子產(chǎn)品輕薄短小、高頻化、多功能化的趨勢(shì)下，目前電路板的制備過(guò)程中通常將該類(lèi)電子元件埋設(shè)于電路板內(nèi)，電子元件產(chǎn)生的熱量不能有效地傳導(dǎo)并散發(fā)，從而影響了電路板的壽命。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種散熱高頻IC封裝用載板及其制備工藝，以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種散熱高頻IC封裝用載板，包括基板、線路板和絕緣層，所述基板包括有氮化硅陶瓷層、介電層、銅箔層，所述基板上通過(guò)焊墊固定設(shè)置有線路板，所述焊墊貫穿銅箔層并嵌入設(shè)置于介電層內(nèi)部，且所述線路板與基板之間填充有涂層，所述線路板遠(yuǎn)離基板的一側(cè)設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層上配置有圖案化導(dǎo)電層。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述基板的厚度為60-120mm，所述基板中氮化硅陶瓷層、介電層、銅箔層的厚度比為1：(0.6-1)：(0.4-0.8)，所述線路板的厚度為30-70mm，所述涂層的厚度為2-8mm。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述介電層包括以下重量份的原料：改性聚酰亞胺樹(shù)脂30-80份、納米混合材料6-12份、填料3-8份、分散劑40-80份，所述納米混合材料包括有納米氮化鋁、氧化鎂和氧化鋁，所述填料包括有滑石粉、二氧化硅、氮化硼和氫氧化鋁，所述分散劑為N,N-二甲基乙酰胺。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述介電層中填料的粒徑為2-20um，所述介電層上濺射有鋁層，所述鋁層的厚度為2-10um，所述焊墊為Ag-Cu-Ti系焊料制作而成。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述涂層包括以下重量份的原料：含磷環(huán)氧樹(shù)脂40-60份、聚醚醚酮樹(shù)脂20-30份、石墨烯3-8份、無(wú)機(jī)填料5-8份、異氰尿酸三縮水甘油酯10-18份，所述無(wú)機(jī)填料包括有改性硫酸鋇和氮化硼，所述改性硫酸鋇和氮化硼的質(zhì)量比為1:0.8-1.5。

一種散熱高頻IC封裝用載板的制備工藝，包括以下步驟：

步驟一：稱(chēng)取介電層中的改性聚酰亞胺樹(shù)脂、納米混合材料、填料和分散劑置于混料機(jī)中，在超聲輔助作用下混合分散均勻得到介電層液備用；將稱(chēng)取的涂層中的含磷環(huán)氧樹(shù)脂、聚醚醚酮樹(shù)脂和異氰尿酸三縮水甘油酯加入到反應(yīng)容器中，攪拌混合均勻后利用擠出機(jī)擠出造粒得到粗料，向粗料中加入溶劑進(jìn)行分散，并向分散液中加入石墨烯和無(wú)機(jī)填料混合均勻得到涂層液備用；