[發(fā)明專利]一種透明半導體發(fā)熱鋼化玻璃的制作工藝

有效

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• 申請日: 2022-03-14
• 公開（公告）號: CN114630458B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅浩;楊小華;蔡建財
• 申請（專利權(quán)）人: 福建晶烯新材料科技有限公司
• 主分類號: H05B3/03
• 分類號: H05B3/03;H05B3/12;H05B3/20
• 代理公司: 北京惠科金知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11981
• 代理人: 劉瀟

本發(fā)明涉及一種透明半導體發(fā)熱鋼化玻璃的制作工藝。本發(fā)明采用先絲印銀漿電極再鍍半導體電熱膜，最后采取一次加熱完成玻璃鋼化和電極燒結(jié)處理的制作方式，優(yōu)化了工藝方法，使工序更加的簡單，降低生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效益，避免了對玻璃的多次加熱而影響玻璃的質(zhì)量，同時，透明半導體電熱膜結(jié)晶后附在電極表面，具有抗氧化、增強強度、防腐防潮等物化性質(zhì)，可以有效對銀漿電極形成保護膜，提升電極的穩(wěn)定性；另外，鍍膜鋼化過程一次升溫退溫一體成型制作工藝，使產(chǎn)品穩(wěn)定性和良品率更高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電熱膜鋼化玻璃技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種透明半導體發(fā)熱鋼化玻璃的制作工藝。

背景技術(shù)

半導體納米電熱膜是新一代的發(fā)熱材料。它的發(fā)熱方式不同于傳統(tǒng)金屬電阻絲。它零感抗，純電阻發(fā)熱，可接受1V-1000V電壓輸入，供電電源不分正負，交直流均可使用。并且以面狀發(fā)熱打破了傳統(tǒng)的線狀發(fā)熱形態(tài)，熱傳遞效果好，電熱轉(zhuǎn)換效率高：80％～97％，具有較好的節(jié)能優(yōu)勢。其具有抗酸堿腐蝕，抗氧化，阻燃，防潮，膜層硬度高，需金剛砂以上的硬度打磨才會破壞膜層，膜層無毒、無有害輻射、無任何污染等物化性質(zhì)。

透明半導體電熱膜技術(shù)目前運用最廣的鍍膜基體是微晶玻璃。由于透明半導體電熱膜前驅(qū)液需要700度左右高溫使用，所以對鍍膜基體的材質(zhì)要求非常嚴格，需要熱膨脹系數(shù)低，硬度高，絕緣，物理化學性質(zhì)穩(wěn)定，可很好的與透明半導體電熱膜前驅(qū)液結(jié)晶形成不易氧化，不易磨損，導電率高，耐潮濕，耐一定酸堿性等一系列優(yōu)良的物理化學性質(zhì)的透明半導體電熱膜。由于微晶玻璃的熱膨脹系數(shù)很低，能適應(yīng)六百度的冷熱沖擊，在280-550℃透明半導體發(fā)熱微晶玻璃電熱膜的高溫領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。但微晶玻璃的缺點在于價格昂貴，是普通鋼化玻璃的5-6倍，進口微晶玻璃的價格更是國內(nèi)生產(chǎn)價格的2-3倍。透明半導體納米電熱膜高功率高溫領(lǐng)域微晶玻璃還是占據(jù)很大優(yōu)勢，但在低溫領(lǐng)域由于微晶玻璃鍍膜基體的成本高昂，性價比也受到了很大的影響，再加上低溫電熱膜領(lǐng)域現(xiàn)有的碳晶柔性電熱膜等技術(shù)的出現(xiàn)，對于透明半導體發(fā)熱微晶玻璃的低溫市場受到很大沖擊。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，本發(fā)明公開了一種透明半導體發(fā)熱鋼化玻璃的制作工藝，包括步驟如下：

步驟一、將鋼化前的玻璃原片加工切割成指定尺寸和形狀，得到鍍膜基體；

步驟二、對鍍膜基體通過玻璃清洗機清洗烘干；

步驟三、通過自動化絲印機先將銀漿電極絲印在清洗烘干后的鍍膜基體上的設(shè)計位置，待銀漿電極干固后再將半導體納米電熱膜阻隔漿料絲印在鍍膜基體上的設(shè)計位置，得到電極鍍膜基體；

步驟四、在電極鍍膜基體表面鍍膜加工形成透明半導體納米電熱膜；

步驟五、將完成鍍膜的電極鍍膜基體送入加熱爐中，分別經(jīng)過預(yù)熱烘干段、中溫固化段、高溫鍍膜段的三段式階梯升溫加熱，最后送入風冷系統(tǒng)中進行快速冷卻，完成退火鋼化處理得到透明半導體發(fā)熱鋼化玻璃；

步驟六、在完成鍍膜的透明半導體發(fā)熱鋼化玻璃上的電極上外接導線，得到成品。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，在進行玻璃原片切割加工過程中要保證玻璃的完整性，避免產(chǎn)生裂痕、缺口等殘缺。步驟三中絲印的導電銀漿電極起到給透明半導體電熱膜接通電源的作用，為了使銀漿電極快速干固，可以在絲印好銀漿電極后將鍍膜基體放入150-250℃的烘干爐中烘干3-10分鐘，導體電熱膜阻隔漿料是絲印在鍍膜基體需要絕緣的位置，防止透明半導體電熱膜結(jié)晶在需要絕緣處而導電。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，步驟五中所述預(yù)熱烘干段的溫度控制在150-250℃，加熱時間控制在3-10分鐘，所述中溫固化段的溫度控制在350-480℃，待電極鍍膜基體溫度升至430-480℃時中溫固化段結(jié)束，所述預(yù)熱烘干段的溫度控制在590-720℃，待溫度升至電極鍍膜基體的玻璃軟化點溫度時停止加熱，便可進行退火鋼化處理。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，在電極上外接導線的接線方式可以采用鉚釘固定、螺絲固定、卡扣插接固定、焊接固定等方式，根據(jù)接線方式不同，如需要在鍍膜基體上加工接線孔時需要在步驟一中完成玻璃原片切割并完成打孔工作。