[發明專利]三基色發光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202210248488.4
• 申請日: 2022-03-14
• 公開（公告）號: CN114864767A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 蘭葉;王江波;朱廣敏
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/24;H01L33/30;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種三基色發光二極管芯片及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該三基色發光二極管芯片包括依次層疊的基板、外延結構和絕緣結構，所述外延結構包括依次層疊于所述基板上的第一外延層、第二外延層和第三外延層，所述絕緣結構位于所述第三外延層遠離所述基板的表面；所述絕緣結構的表面具有多個出光孔，所述多個出光孔包括露出所述第一外延層的第一出光孔、露出所述第二外延層的第二出光孔，露出所述第三外延層的第三出光孔。本公開能提升三基色發光二極管芯片在混色時的均勻性，改善混光效果。

技術領域

本公開涉及光電子制造技術領域，特別涉及一種三基色發光二極管芯片及其制備方法。

背景技術

三基色發光二極管是通過三基色原理使發光二極管發出不同顏色的光的電子元件。三基色發光二極管具有自發光特性，具有高亮度、高對比度、高反應性及省電的特點。

相關技術中，三基色發光二極管通常包括外延結構、第一焊點塊和第二焊點塊，外延結構包括三個層疊在一起的藍光外延層、綠光外延層和紅光外延層，相鄰的兩個外延層之間通過鍵合層連接。

然而，該種將三個外延層疊置的布置方式，導致三種外延層發出的光在出射時需要穿過不同數量的外延層，因此不同顏色的光在混色時，存在均勻性較差的問題。

發明內容

本公開實施例提供了一種三基色發光二極管芯片及其制備方法，能提升三基色發光二極管芯片在混色時的均勻性，改善混光效果。所述技術方案如下：

本公開實施例提供了一種三基色發光二極管芯片，所述三基色發光二極管芯片包括依次層疊的基板、外延結構和絕緣結構，所述外延結構包括依次層疊于所述基板上的第一外延層、第二外延層和第三外延層，所述絕緣結構位于所述第三外延層遠離所述基板的表面；所述絕緣結構的表面具有多個出光孔，所述多個出光孔包括露出所述第一外延層的第一出光孔、露出所述第二外延層的第二出光孔，露出所述第三外延層的第三出光孔。

在本公開實施例的一種實現方式中，所述多個出光孔分布為多個孔組，所述多個孔組陣列分布，每個所述孔組均包括至少一個所述第一出光孔、至少一個所述第二出光孔和至少一個所述第三出光孔。

在本公開實施例的另一種實現方式中，所述第一外延層、所述第二外延層和所述第三外延層中的一個用于發紅光，同一所述孔組中，露出用于發紅光的外延層的出光孔的橫截面積最大。

在本公開實施例的另一種實現方式中，所述第一出光孔、所述第二出光孔和所述第三出光孔的橫截面的形狀均不同。

在本公開實施例的另一種實現方式中，所述第一外延層靠近所述基板的表面具有第一鍵合層，所述基板靠近所述第一外延層的表面具有第二鍵合層；所述第一鍵合層和所述第二鍵合層均包括Sn層和間隔嵌設在所述Sn層內的Au塊，所述第一鍵合層的Au塊與所述第二鍵合層的Au塊相對連接。

在本公開實施例的另一種實現方式中，所述第一外延層相對的兩面具有第一電極和第二電極，所述第一電極靠近所述基板，所述第二外延層相對的兩面具有第三電極和第四電極，所述第三電極靠近所述第一外延層，所述第三外延層相對的兩面具有第五電極和第六電極，所述第五電極朝向所述第二外延層；所述第三外延層的表面具有露出所述第二電極、所述第三電極和所述第五電極的第一凹槽，和露出所述第一電極的第二凹槽，以及露出所述第四電極的第三凹槽；所述第三外延層上還具有第一焊點塊、第二焊點塊、第三焊點塊和第四焊點塊，所述第一焊點塊通過所述第一凹槽分別與所述第二電極、所述第三電極和所述第五電極連接，所述第二焊點塊通過所述第二凹槽與所述第一電極連接，所述第三焊點塊通過所述第三凹槽與所述第四電極連接，所述第四焊點塊與所述第六電極連接。

在本公開實施例的另一種實現方式中，所述第一外延層包括依次層疊于所述基板上的第一n型層、第一發光層和第一p型層；所述第二外延層包括依次層疊于所述第一p型層上的第二p型層、第二發光層和第二n型層；所述第三外延層包括依次層疊于所述第二n型層上的第三p型層、第三發光層和第三n型層。