[發明專利]三基色發光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 202210248488.4
• 申請日: 2022-03-14
• 公開（公告）號: CN114864767A
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 蘭葉;王江波;朱廣敏
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/24;H01L33/30;H01L33/32;H01L33/44;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

1.一種三基色發光二極管芯片，其特征在于，所述三基色發光二極管芯片包括依次層疊的基板(10)、外延結構和絕緣結構(61)，所述外延結構包括依次層疊于所述基板(10)上的第一外延層(21)、第二外延層(22)和第三外延層(23)，所述絕緣結構(61)位于所述第三外延層(23)遠離所述基板(10)的表面；

所述絕緣結構(61)的表面具有多個出光孔，所述多個出光孔包括露出所述第一外延層(21)的第一出光孔(51)、露出所述第二外延層(22)的第二出光孔(52)，露出所述第三外延層(23)的第三出光孔(53)。

2.根據權利要求1所述的三基色發光二極管芯片，其特征在于，所述多個出光孔分布為多個孔組(50)，所述多個孔組(50)陣列分布，每個所述孔組(50)均包括至少一個所述第一出光孔(51)、至少一個所述第二出光孔(52)和至少一個所述第三出光孔(53)。

3.根據權利要求2所述的三基色發光二極管芯片，其特征在于，所述第一外延層(21)、所述第二外延層(22)和所述第三外延層(23)中的一個用于發紅光，同一所述孔組(50)中，露出用于發紅光的外延層的出光孔的橫截面積最大。

4.根據權利要求1所述的三基色發光二極管芯片，其特征在于，所述第一出光孔(51)、所述第二出光孔(52)和所述第三出光孔(53)的橫截面的形狀均不同。

5.根據權利要求1至4任一項所述的三基色發光二極管芯片，其特征在于，所述第一外延層(21)靠近所述基板(10)的表面具有第一鍵合層(31)，所述基板(10)靠近所述第一外延層(21)的表面具有第二鍵合層(32)；

所述第一鍵合層(31)和所述第二鍵合層(32)均包括Sn層(311)和間隔嵌設在所述Sn層(311)內的Au塊(312)，所述第一鍵合層(31)的Au塊(312)與所述第二鍵合層(32)的Au塊(312)相對連接。

6.根據權利要求1至4任一項所述的三基色發光二極管芯片，其特征在于，所述第一外延層(21)相對的兩面具有第一電極(41)和第二電極(42)，所述第一電極(41)靠近所述基板(10)，所述第二外延層(22)相對的兩面具有第三電極(43)和第四電極(44)，所述第三電極(43)靠近所述第一外延層(21)，所述第三外延層(23)相對的兩面具有第五電極(45)和第六電極(46)，所述第五電極(45)朝向所述第二外延層(22)；

所述第三外延層(23)的表面具有露出所述第二電極(42)、所述第三電極(43)和所述第五電極(45)的第一凹槽(201)，和露出所述第一電極(41)的第二凹槽(202)，以及露出所述第四電極(44)的第三凹槽(203)；

所述第三外延層(23)上還具有第一焊點塊(71)、第二焊點塊(72)、第三焊點塊(73)和第四焊點塊(74)，所述第一焊點塊(71)通過所述第一凹槽(201)分別與所述第二電極(42)、所述第三電極(43)和所述第五電極(45)連接，所述第二焊點塊(72)通過所述第二凹槽(202)與所述第一電極(41)連接，所述第三焊點塊(73)通過所述第三凹槽(203)與所述第四電極(44)連接，所述第四焊點塊(74)與所述第六電極(46)連接。

7.根據權利要求1至4任一項所述的三基色發光二極管芯片，其特征在于，所述第一外延層(21)包括依次層疊于所述基板(10)上的第一n型層(211)、第一發光層(212)和第一p型層(213)；

所述第二外延層(22)包括依次層疊于所述第一p型層(213)上的第二p型層(223)、第二發光層(222)和第二n型層(221)；

所述第三外延層(23)包括依次層疊于所述第二n型層(221)上的第三p型層(233)、第三發光層(232)和第三n型層(231)。

8.根據權利要求1至4任一項所述的三基色發光二極管芯片，其特征在于，所述絕緣結構(61)遠離所述外延結構的表面具有遮光膜(80)，所述遮光膜(80)具有露出所述第一出光孔(51)、所述第二出光孔(52)和所述第三出光孔(53)的通孔。