[發明專利]自參考和自校準干涉圖案疊加測量

在審

• 申請號: 202210245037.5
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN114460816A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 楊東岳;戴鑫托;樸東錫;唐明浩;姆德·莫塔西·貝拉;帕凡·庫瑪爾·查特哈馬佩塔·史瑞帕達拉;C·W·王
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉麗楠

1.一種方法，其包括：

建立具有第一節距的第一標靶于第一掩模上；

建立具有第二節距的第二標靶于所述第一掩模上，其中所述第二標靶相鄰于所述第一標靶；

建立具有所述第二節距的第三標靶于第二掩模上；

建立具有所述第一節距的第四標靶于所述第二掩模上，其中所述第三標靶相鄰于所述第四標靶，其中所述第一標靶和所述第三標靶形成第一干涉圖案，其中所述第二標靶和所述第四標靶形成第二干涉圖案，其中所述第一節距和所述第二節距中的至少一者低于測量系統的最小光學分辨率，且其中所述第一干涉圖案以及所述第二干涉圖案高于所述最小光學分辨率；以及

輸出含有所述第一掩模和所述第二掩模的設計，其中所述設計適用于所述測量系統。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

確定所述測量系統的所述最小光學分辨率；以及

通過以下方式建立所述第一節距和所述第二節距：

設置低于所述最小光學分辨率的所述第一節距和所述第二節距；

設置所述第一節距和所述第二節距之間的差值以生成高于所述最小光學分辨率的所述第一干涉圖案和所述第二干涉圖案；以及

設置相對于所述第二節距的所述第一節距以平衡所述第一標靶的反射的強度和所述第二標靶的反射的強度。

3.根據權利要求2所述的方法，其中建立所述第一節距和所述第二節距進一步包括：設置所述第一節距和所述第二節距以產生所述第一標靶、所述第二標靶、所述第三標靶以及所述第四標靶中的每一者中的至少五個平行標記。

4.根據權利要求2所述的方法，其中設置相對于所述第二節距的所述第一節距以平衡反射的強度包括基于以下來確定所述反射的強度：

所述第一標靶、所述第二標靶、所述第三標靶、所述第四標靶中的特征尺寸；以及

材料的透明特性以及經制造的層的幾何形狀。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一標靶與所述第二標靶對齊，且所述第三標靶與所述第四標靶錯位。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

確定所述第一干涉圖案和所述第二干涉圖案的干涉圖案失準；

計算所述第一干涉圖案和所述第二干涉圖案的放大系數；以及

將所述干涉圖案失準除以所述放大系數以產生并輸出實際失準量。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一節距和所述第二節距之間的差值導致基于沒有由制造系統產生的失真的所述第一干涉圖案和所述第二干涉圖案的預期放大率，且其中所述放大系數因基于所述干涉圖案失準的光學測量差值的校準系數而不同于所述預期放大率，所述校準系數使所述實際失準量自校準。

8.一種方法，其包括：

建立具有第一節距的第一標靶于第一光掩模上；

建立具有第二節距的第二標靶于所述第一光掩模上，其中所述第二標靶相鄰于所述第一標靶；

建立具有所述第二節距的第三標靶于第二光掩模上；

建立具有所述第一節距的第四標靶于所述第二光掩模上，其中所述第三標靶相鄰于所述第四標靶，其中所述第一標靶和所述第三標靶形成第一干涉圖案，其中所述第二標靶和所述第四標靶形成第二干涉圖案，其中所述第一干涉圖案和所述第二干涉圖案形成第一對共軛干涉圖案，且其中所述第一標靶、所述第二標靶、所述第三標靶以及所述第四標靶包括第一組標靶；

建立與所述第一組標靶相同且相對于所述第一組標靶倒置的第二組標靶于所述第一光掩模和所述第二光掩模上，以生成相對于所述第一對共軛干涉圖案倒置的第二對共軛干涉圖案，其中所述第一節距和所述第二節距中的至少一者低于測量系統的最小光學分辨率，且其中所述第一對共軛干涉圖案和所述第二對共軛干涉圖案高于所述最小光學分辨率；以及

輸出含有所述第一光掩模和所述第二光掩模的設計，其中所述設計適用于所述測量系統。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一標靶與所述第二標靶對齊，且其中所述第三標靶與所述第四標靶錯位一偏置距離。