[發明專利]一種新型半導體器件的制備方法

在審

• 申請號: 202210244099.4
• 申請日: 2022-03-11
• 公開（公告）號: CN114628313A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 孔真真;王桂磊;亨利·H·阿達姆松;任宇輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667
• 代理人: 苑晨超

1.一種新型半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

在第一襯底上依次形成第一膜層、第二膜層和鍵合膜層，以形成第一中間結構；其中，第二膜層的晶胞尺寸小于所述第一膜層的晶胞尺寸，所述鍵合膜層是由具有張應變特性的材料制備的膜層，以使所述第二膜層形成張應變；

在第二襯底上依次形成電介質膜層和鍵合膜層，以形成第二中間結構；

將所述第一中間結構和所述第二中間結構的鍵合膜層進行鍵合，以形成鍵合結構；

將所述鍵合結構的第一襯底和第一膜層去除，以形成具有張應變的半導體器件襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜層中的第一元素比例大于所述第一膜層中的第一元素比例；所述第一元素的原子半徑大于所述第一膜層中的第二元素的原子半徑。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜層包括硅膜層、鍺硅膜層、鍺膜層中的任意一種或兩種以上的疊層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鍵合膜層包括氮化硅、氧化硅和氧化鋁中的任意一種形成的膜層或任意幾種形成的疊層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜層的厚度為5nm～100nm。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜層為硅鍺膜層，所述第二膜層為硅膜層；或者，

所述第一膜層為鍺膜層，所述第二膜層為鍺硅膜層。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述半導體器件襯底的第二膜層上形成柵極；

在所述半導體器件襯底的第二膜層上形成源極和漏極，形成半導體器件。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，在所述半導體器件襯底上形成源/漏區域包括：

在所述半導體器件襯底的第二膜層的源/漏區域進行離子注入，形成源極和漏極；或者，

將所述半導體器件襯底在650℃～750℃的溫度下，以摻雜元素前驅體進行吹掃，吹掃后在第二膜層和柵極上形成二氧化硅保護層并退火，再去除二氧化硅。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述摻雜元素前驅體包括磷化氫或者乙硼烷。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鍵合膜層的形成方法包括原子層沉積、等離子體增強化學氣相沉積、低壓力化學氣相沉積或者熱氧法。