[發明專利]共面波導至微帶線的過渡結構的確定方法及過渡結構

有效

• 申請號: 202210242437.0
• 申請日: 2022-03-11
• 公開（公告）號: CN114665247B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 韓宇南;梁珮云
• 申請（專利權）人: 北京化工大學
• 主分類號: H01P11/00
• 分類號: H01P11/00;H01P5/08;G06F30/20
• 代理公司: 北京細軟智谷知識產權代理有限責任公司 11471
• 代理人: 周亮

本申請涉及共面波導至微帶線的過渡結構的確定方法及過渡結構，屬于微波電路技術領域，本申請的確定方法包括，獲取介質基板的性能參數數據；基于所述性能參數數據，采用等特性阻抗連續過渡方式，計算確定描述過渡區域內，中心導帶寬度、與中心導帶至接地帶的間距之間的對應關系；基于所述對應關系所表征的第一雙指數函數關系，確定所述過渡結構中共面波導與微帶線間的間隙結構。本申請的技術方案，相比現有的階梯型過渡和斜線型過渡，能夠以較低的插入損耗實現共面波導至微帶線的過渡。

技術領域

本申請屬于微波電路技術領域，具體涉及共面波導至微帶線的過渡結構的確定方法及過渡結構。

背景技術

伴隨著對高速多媒體數據通信的需求的增加，載波頻率也增加到毫米波段，許多毫米波系統，如視頻傳輸、無線局域網和無線以太網，需要高度集成的微波電路。微波電路一般包括集成在同一基板上的無源器件、有源器件和微波傳輸線。微帶線和共面波導(CPW)是毫米波集成電路中重要的傳輸形式。為了實現信號從一條傳輸線到另一條傳輸線的傳輸，各條傳輸線之間的微波過渡結構是關鍵技術，典型情況是不同線寬的共面波導和微帶線之間的低損耗過渡技術。

現有相關技術中，文獻“A.M.E.Safwat,K.A.Zaki,W.Johnson and C.H.Lee,Novel transition between different configurations of planar transmissionlines,in IEEE Microwave and Wireless Components Letters,vol.12,no.4,pp.128-130,April 2002.”中提到了一種階梯阻抗變阻器結構，以減少不同線寬引起的阻抗不連續性；

文獻“G.Zheng,J.Papapolymerou,and M.M.Tentzeris,“Wideband coplanarwaveguide RF probe pad to microstrip transitions without via holes,”IEEEMicrowWirelComponLett.,vol.13,no.12,pp.544-546,Dec.2003”中提到的，平面共面波導到微帶過渡結構為一種簡單的對角線過渡；

文獻“Y.C.Lee,and C.S.Park,“A Compact and Low-Radiation CPW Probe PadUsing CBCPW-to-Microstrip Transitions for V-Band LTCC Applications,”IEEETransactions on Advanced Packaging,vol.30,pp.566-569,2007.”中，為了抑制CBCPW的過渡和反向輻射損耗，提出了一種使用邊緣切割墊和CBCPW到微帶平面過渡的無通孔CPW探頭墊；

文獻“Q.Jiang,C.Domier,and N.C.Luhmann,“A Ultra Wideband Low LossCBCPW-to-Microstrip Transition With Multiple Via Holes,”IEEE Microwave andWireless Components Letters,vol.24,pp.751-753,2007.”中，還提出了寬帶CBCPW到微帶的過渡，該過渡是將通孔放置在CBCPW的側接地板上，以抑制平行板諧振模式，從而降低輻射損耗。

但現有的不同線寬的共面波導和微帶線之間的低損耗過渡技術，普遍存在插損較大的問題，其會增加系統能耗，降低效率，且對設備的散熱帶來很大的負擔。

上述內容僅用于輔助理解本發明的技術方案，并不代表承認上述內容是現有技術。

發明內容

為至少在一定程度上克服相關技術中存在的問題，本申請提供一種共面波導至微帶線的過渡結構的確定方法及過渡結構，有助于在微波電路中實現低損耗的共面波導至微帶線的過渡。

為實現以上目的，本申請采用如下技術方案：