[發明專利]薄膜晶體管和顯示裝置

在審

• 申請號: 202210240385.3
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114678426A
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 何佩杰;鄭浩旋
• 申請（專利權）人: 綿陽惠科光電科技有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 徐明霞

1.一種薄膜晶體管，包括基板以及位于所述基板上的金屬氧化物有源層和源、漏極，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

阻氫層，位于所述基板與所述金屬氧化物有源層之間；在所述基板上，所述金屬氧化物有源層的正投影位于所述阻氫層的正投影內，且所述阻氫層的投影面積與所述金屬氧化物有源層的投影面積的比例大于1且小于或等于1.3。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述阻氫層的邊緣與所述金屬氧化物有源層的邊緣的間距大于2um且小于或等于4um。

3.根據權利要求1-2中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述阻氫層至少包括一層金屬阻氫層，用于遮擋照射至所述金屬氧化物有源層的光線。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述阻氫層還包括氧化物半導體阻氫層，所述氧化物半導體阻氫層與所述金屬阻氫層層疊設置；

在所述基板上，所述金屬氧化物有源層的正投影與所述金屬阻氫層的正投影重疊，并位于所述氧化物半導體阻氫層的正投影內；所述氧化物半導體阻氫層的投影面積與所述金屬氧化物有源層的投影面積的比例大于1且小于或等于1.3。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物半導體阻氫層的材料包括氧化錫或氧化鎵。

6.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物半導體阻氫層位于所述金屬阻氫層遠離所述金屬氧化物有源層的一側。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：柵極，其中，

所述柵極為一個，所述柵極位于所述金屬氧化物有源層遠離所述阻氫層的一側，且位于所述源、漏極之間；或者，

所述柵極為一個，且為所述阻氫層；或者，

所述柵極為兩個，一所述柵極位于所述金屬氧化物有源層遠離所述阻氫層的一側，且位于所述源、漏極之間，另一所述柵極為所述阻氫層。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述阻氫層包括底邊阻氫層和側邊阻氫層，所述底邊阻氫層與所述基板接觸，所述底邊阻氫層與所述側邊阻氫層的延伸方向不同，且二者相交。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述基板包括氧化硅層和氮化硅層，所述氮化硅層位于所述氧化硅層遠離所述金屬氧化物有源層的一側。

10.一種顯示裝置，包括：驅動單元和顯示單元，所述驅動單元與所述顯示單元電連接；其特征在于：

所述驅動單元包括如權利要求1-9中任一項所述的薄膜晶體管。