[發明專利]薄膜晶體管和顯示裝置

在審

• 申請號: 202210240385.3
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114678426A
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 何佩杰;鄭浩旋
• 申請（專利權）人: 綿陽惠科光電科技有限公司;惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 徐明霞

本公開涉及一種薄膜晶體管和顯示裝置，薄膜晶體管包括基板以及位于所述基板上的金屬氧化物有源層和源、漏極，所述薄膜晶體管還包括：阻氫層，位于所述基板與所述金屬氧化物有源層之間；在所述基板上，所述金屬氧化物有源層的正投影位于所述阻氫層的正投影內，且所述阻氫層的投影面積與所述金屬氧化物有源層的投影面積的比例大于1且小于或等于1.3。本公開方案有利于降低氫離子對金屬氧化物有源層的遷移率的影響。

技術領域

本公開屬于顯示領域，具體涉及一種薄膜晶體管和顯示裝置。

背景技術

由于氧化物薄膜晶體管具有優良的電學性能，其被廣泛地運用于顯示裝置。然而，氧化物薄膜晶體管中的金屬氧化物有源層在氫離子的影響下容易發生退化，從而降低其載流子遷移率。因此，亟需一種能夠阻擋氫離子擴散的氧化物薄膜晶體管，以滿足當前技術的快速發展。

發明內容

本公開的目的在于提供一種薄膜晶體管和顯示裝置，能夠阻擋氫離子擴散至薄膜晶體管的金屬氧化物有源層，進而使得薄膜晶體管保持較高的遷移率。

本公開第一方面提供了一種薄膜晶體管，薄膜晶體管包括基板以及位于所述基板上的金屬氧化物有源層和源、漏極，所述薄膜晶體管還包括：阻氫層，位于所述基板與所述金屬氧化物有源層之間；在所述基板上，所述金屬氧化物有源層的正投影位于所述阻氫層的正投影內，且所述阻氫層的投影面積與所述金屬氧化物有源層的投影面積的比例大于1且小于或等于1.3。

在本公開的一種示例性實施例中，所述阻氫層的邊緣與所述金屬氧化物有源層的邊緣的間距大于2um且小于或等于4um。

在本公開的一種示例性實施例中，所述阻氫層至少包括一層金屬阻氫層，用于遮擋照射至所述金屬氧化物有源層的光線。

在本公開的一種示例性實施例中，所述阻氫層還包括氧化物半導體阻氫層，所述氧化物半導體阻氫層與所述金屬阻氫層層疊設置；在所述基板上，所述金屬氧化物有源層的正投影與所述金屬阻氫層的正投影重疊，并位于所述氧化物半導體阻氫層的正投影內；所述氧化物半導體阻氫層的投影面積與所述金屬氧化物有源層的投影面積的比例大于1且小于或等于1.3。

在本公開的一種示例性實施例中，所述氧化物半導體阻氫層的材料包括氧化錫或氧化鎵。

在本公開的一種示例性實施例中，所述氧化物半導體阻氫層位于所述金屬阻氫層遠離所述金屬氧化物有源層的一側。

在本公開的一種示例性實施例中，還包括：柵極，其中，所述柵極為一個，所述柵極位于所述金屬氧化物有源層遠離所述阻氫層的一側，且位于所述源、漏極之間；或者，所述柵極為一個，且為所述阻氫層；或者，所述柵極為兩個，一所述柵極位于所述金屬氧化物有源層遠離所述阻氫層的一側，且位于所述源、漏極之間，另一所述柵極為所述阻氫層。

在本公開的一種示例性實施例中，所述阻氫層包括底邊阻氫層和側邊阻氫層，所述底邊阻氫層與所述基板接觸，所述底邊阻氫層與所述側邊阻氫層的延伸方向不同，且二者相交。

在本公開的一種示例性實施例中，所述基板包括氧化硅層和氮化硅層，所述氮化硅層位于所述氧化硅層遠離所述金屬氧化物有源層的一側。

本公開第二方面提供了一種一種顯示裝置，包括：驅動單元和顯示單元，所述驅動單元與所述顯示單元電連接；所述驅動單元包括前述中任一項薄膜晶體管。

本公開方案的有益效果：

本公開方案在金屬氧化物有源層與基底之間設置阻氫層，且金屬氧化物有源層的在基底上的正投影位于阻氫層的正投影內，阻氫層與金屬氧化物有源層的投影面積大于1且小于或等于1.3。如此，在保證像素開口率的同時，能夠有效阻擋氫離子擴散至金屬氧化物有源層，從而避免金屬氧化物有源層發生退化。

本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本公開的實踐而習得。