[發明專利]一種MLC存儲器的存儲單元的讀取方法和讀取電路

在審

• 申請號: 202210237722.3
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114822656A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 馬亮
• 申請（專利權）人: 珠海博雅科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/34;G11C5/14
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 張志輝

本發明公開了一種MLC存儲器的存儲單元的讀取方法和讀取電路，其中，讀取方法包括：判斷MLC存儲器所接入的電源電壓是否大于電壓閾值；當電源電壓大于或等于電壓閾值，則執行第一讀取操作以確定存儲單元的數據狀態；當電源電壓小于電壓閾值，則執行第二讀取操作以確定存儲單元的數據狀態；根據本發明實施例可以在在現有的MLC存儲器所接入的電源電壓過低時，保證存儲單元存儲的重要數據的讀取的可靠性和將存儲單元存儲的數據讀出，因此本發明實施例較之現有技術，具有更高的靈活性。

技術領域

本發明涉及半導體存儲技術領域，尤其涉及一種MLC存儲器的存儲單元的讀取方法、讀取電路、處理裝置和計算機存儲介質。

背景技術

現有的非易失性存儲器可以包括SLC存儲器(Single-Level Cell，單層單元閃存)和MLC存儲器(Multi-Level Cell，多層單元閃存)，而SLC存儲器與MLC存儲器的區別點在于：SLC存儲器的一個存儲單元只能存儲一位數據，所以只能表示兩種數據狀態之一(狀態1或狀態0)，而MLC存儲器的一個存儲單元可以存儲兩位數據，所以可以表示四種數據狀態之一(狀態11、狀態10、狀態01或狀態00)，因此MLC存儲器的存儲單元的利用率比SLC存儲器的利用率高，可以節約制造成本。

現有的MLC存儲器的存儲單元的讀取方法主要分為并行讀取和串行讀取兩種，并行讀取較之串行讀取，讀取速度快，但是由于并行讀取的一次存儲單元的讀取需要同時讀取第一參考單元、第二參考單元和第三參考單元產生的電流并將三個存儲單元產生的電流與存儲單元產生的單元電流分別進行比較，要求的并發能力高，所以容易產生誤讀，而串行讀取較之并行讀取，由于將讀取分成了三步，在每一步中存儲單元產生的電流僅與一個參考電流進行比較，所以雖然并發能力弱，但是不容易產生誤讀，數據讀取的可靠性高。

進一步地，由于串行讀取的數據讀取的可靠性高，所以人們在讀取重要數據時，會更加傾向于使用串行讀取而非并行讀取，但是現有的一種串行讀取方法不夠靈活，導致采取該串行讀取方法的MLC存儲器在接入的電源電壓過低時，無法讀取存儲單元中存儲的重要數據。

發明內容

以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

本發明實施例提供了一種MLC存儲器的存儲單元的讀取方法、讀取電路、處理裝置和計算機存儲介質，能夠根據MLC存儲器所接入的電源電壓是否超過電壓閾值而決定選用第一讀取操作或第二讀取操作，從而可以在保證MLC存儲器的存儲單元的數據讀取可靠性的前提下，讀取出存儲單元存儲的重要數據，較之現有的只采用電流串行讀取的串行讀取方法更加靈活。

第一方面，本發明實施例提供了一種MLC存儲器的存儲單元的讀取方法，所述存儲單元以四種數據狀態中的任一種存儲2位數據，所述MLC存儲器包括3種參考單元，所述參考單元用于讀取所述存儲單元的數據，所述讀取方法包括：

一種MLC存儲器的存儲單元的讀取方法，所述存儲單元以四種數據狀態中的任一種存儲2位數據，所述MLC存儲器包括3種參考單元，所述參考單元用于讀取所述存儲單元的數據，所述讀取方法包括：

判斷所述MLC存儲器所接入的電源電壓是否大于電壓閾值；

當所述電源電壓大于或等于所述電壓閾值，執行第一讀取操作以確定所述存儲單元的數據狀態；

當所述電源電壓小于所述電壓閾值，執行第二讀取操作以確定所述存儲單元的數據狀態；

根據所述數據狀態輸出所述存儲單元存儲的數據；

其中，所述第一讀取操作包括：

對所述存儲單元和所述第一參考單元施加第一讀取電壓，所述第一讀取電壓與所述電壓閾值對應，并比較所述存儲單元產生的單元電流與所述第一參考單元產生的第一參考電流，得出第一比較結果；