[發明專利]一種MLC存儲器的存儲單元的讀取方法和讀取電路

在審

• 申請號: 202210237722.3
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114822656A
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 馬亮
• 申請（專利權）人: 珠海博雅科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/34;G11C5/14
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 張志輝

1.一種MLC存儲器的存儲單元的讀取方法，所述存儲單元以四種數據狀態中的任一種存儲2位數據，所述MLC存儲器包括3種參考單元，所述參考單元用于讀取所述存儲單元的數據，其特征在于，所述讀取方法包括：

判斷所述MLC存儲器所接入的電源電壓是否大于電壓閾值；

當所述電源電壓大于或等于所述電壓閾值，執行第一讀取操作以確定所述存儲單元的數據狀態；

當所述電源電壓小于所述電壓閾值，執行第二讀取操作以確定所述存儲單元的數據狀態；

根據所述數據狀態輸出所述存儲單元存儲的數據；

其中，所述第一讀取操作包括：

對所述存儲單元和所述第一參考單元施加第一讀取電壓，所述第一讀取電壓與所述電壓閾值對應，并比較所述存儲單元產生的單元電流與所述第一參考單元產生的第一參考電流，得出第一比較結果；

對所述存儲單元和所述第二參考單元施加所述第一讀取電壓，并比較所述單元電流與所述第二參考單元產生的第二參考電流，得出第二比較結果；

對所述存儲單元和所述第三參考單元施加所述第一讀取電壓，并比較所述單元電流與所述第三參考單元產生的第三參考電流，得出第三比較結果；

根據所述第一比較結果、所述第二比較結果和所述第三比較結果得出所述存儲單元存儲的所述數據狀態；

所述第二讀取操作包括：

對所述存儲單元施加所述第二讀取電壓，并比較所述存儲單元產生的所述單元電流與參考電流，得出第四比較結果；所述第二讀取電壓與所述第一參考單元對應；

對所述存儲單元施加所述第三讀取電壓，并比較所述單元電流與所述參考電流，得出第五比較結果；所述第三讀取電壓與所述第二參考單元對應；

對所述存儲單元施加所述第四讀取電壓，并比較所述單元電流與所述參考電流，得出第六比較結果；所述第四讀取電壓與所述第三參考單元對應；

根據所述第四比較結果、所述第五比較結果和所述第六比較結果得出所述存儲單元存儲的所述數據狀態；所述參考電流根據所述第二讀取電壓、所述第三讀取電壓和所述第四讀取電壓確定。

2.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，在得出所述第一比較結果后，所述第一讀取操作包括：

若第一參考單元產生的電流在所有所述參考單元產生的電流中最小且所述第一比較結果為所述單元電流小于所述第一參考電流，則得出所述存儲單元的數據狀態為第一數據狀態；

若第一參考單元產生的電流在所有所述參考單元產生的電流中最大且所述第一比較結果為所述單元電流大于所述第一參考電流，則得出所述存儲單元的數據狀態為第四數據狀態。

3.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，在得出所述第四比較結果后，所述第二讀取操作包括：

若所述第二讀取電壓在所有所述讀取電壓中最小且所述第四比較結果為所述單元電流大于所述參考電流，則得出所述存儲單元的數據狀態為第一數據狀態；

若所述第二讀取電壓在所有所述讀取電壓中最大且所述第四比較結果為所述單元電流小于所述參考電流，則得出所述存儲單元的數據狀態為第四數據狀態。

4.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，在對所有的所述參考單元施加所述第一讀取電壓后，所述第一參考單元產生的電流小于所述第二參考單元產生的電流，所述第二參考單元產生的電流小于所述第三參考單元產生的電流。

5.根據權利要求1所述的讀取方法，其特征在于，所述第二讀取電壓小于所述第三讀取電壓，所述第三讀取電壓小于所述第四讀取電壓。