[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210232396.7 | 申請日： | 2022-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN115915760A | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 井口直;福田夏樹 | 申請（專利權(quán)）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H10B41/30 | 分類號： | H10B41/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 張軼楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲 裝置 | ||
實施方式提供容易高集成化的半導(dǎo)體存儲裝置。實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：基板，具備在第1方向上排列的存儲區(qū)域及接合區(qū)域；及多個存儲構(gòu)造，在與第1方向交叉的第2方向上排列。多個存儲構(gòu)造具備：多個導(dǎo)電層，在與基板的表面交叉的第3方向上排列，跨存儲區(qū)域及接合區(qū)域地在第1方向上延伸；及多個接觸電極，設(shè)置于接合區(qū)域，在第3方向上延伸，具備由多個導(dǎo)電層的一部分包圍的外周面，分別連接于多個導(dǎo)電層中的任一者。接合區(qū)域具備在第1方向上排列的第1區(qū)域和第2區(qū)域。第1區(qū)域包括第1接觸電極及第2接觸電極，第2區(qū)域包括第3接觸電極。第3接觸電極的第3方向的長度比第1接觸電極的第3方向的長度長且比第2接觸電極的第3方向的長度短。
本申請享受以日本專利申請2021-153611號(申請日：2021年9月21日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包括基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本實施方式涉及半導(dǎo)體存儲裝置。
背景技術(shù)
已知有具備基板、在與該基板的表面交叉的方向上層疊的多個導(dǎo)電層、與這多個導(dǎo)電層相對的半導(dǎo)體層及設(shè)置于導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層之間的柵極絕緣層的半導(dǎo)體存儲裝置。柵極絕緣層例如具備氮化硅(Si3N4)等絕緣性的電荷蓄積層、浮置柵等導(dǎo)電性的電荷蓄積層等能夠存儲數(shù)據(jù)的存儲部。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的課題在于，提供一種高集成化容易的半導(dǎo)體存儲裝置。
一個實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：基板，具備在第1方向上排列的存儲區(qū)域及接合區(qū)域；及多個存儲構(gòu)造，在與第1方向交叉的第2方向上排列。多個存儲構(gòu)造分別具備：多個導(dǎo)電層，在與基板的表面交叉的第3方向上排列，跨存儲區(qū)域及接合區(qū)域地在第1方向上延伸；半導(dǎo)體層，設(shè)置于存儲區(qū)域，在第3方向上延伸，與多個導(dǎo)電層相對；電荷蓄積膜，設(shè)置于多個導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層之間；及多個接觸電極，設(shè)置于接合區(qū)域，在第3方向上延伸，具備由多個導(dǎo)電層的一部分包圍的外周面，分別連接于多個導(dǎo)電層中的任一者。接合區(qū)域具備在第1方向上排列的第1區(qū)域和第2區(qū)域。第1區(qū)域包括第1接觸電極及第2接觸電極，第2區(qū)域包括第3接觸電極。第3接觸電極的第3方向的長度比第1接觸電極的第3方向的長度長且比第2接觸電極的第3方向的長度短。
附圖說明
圖1是第1實施方式的存儲器管芯(memory?die)MD的示意性的俯視圖。
圖2是圖1的A所示的部分及B所示的部分的示意性的放大圖。
圖3是圖2的C所示的部分的示意性的放大圖。
圖4是將圖3所示的構(gòu)造沿著D-D′線切斷且沿著箭頭的方向觀察時的示意性的剖視圖。
圖5是圖4的E所示的部分的示意性的放大圖。
圖6是將圖2所示的構(gòu)造沿著F-F′線切斷且沿著箭頭的方向觀察時的示意性的剖視圖。
圖7是將圖2所示的構(gòu)造沿著G-G′線切斷且沿著箭頭的方向觀察時的示意性的剖視圖。
圖8是圖2所示的接合區(qū)域的示意性的放大圖。
圖9是用于對第1實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法進行說明的示意性的剖視圖。
圖10是用于對第1實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法進行說明的示意性的剖視圖。
圖11是用于對第1實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法進行說明的示意性的俯視圖。
圖12是用于對第1實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法進行說明的示意性的剖視圖。
圖13是用于對第1實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法進行說明的示意性的剖視圖。
圖14是用于對第1實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法進行說明的示意性的俯視圖。
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