[發明專利]半導體存儲裝置在審
| 申請號： | 202210232396.7 | 申請日： | 2022-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN115915760A | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發明（設計）人： | 井口直;福田夏樹 | 申請（專利權）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H10B41/30 | 分類號： | H10B41/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 張軼楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導體存儲裝置，具備：
基板，具備在第1方向上排列的存儲區域及接合區域；及
多個存儲構造，在與所述第1方向交叉的第2方向上排列，
所述多個存儲構造分別具備：
多個導電層，在與所述基板的表面交叉的第3方向上排列，跨所述存儲區域及所述接合區域地在所述第1方向上延伸；
半導體層，設置于所述存儲區域，在所述第3方向上延伸，與所述多個導電層相對；
電荷蓄積膜，設置于所述多個導電層與所述半導體層之間；及
多個接觸電極，設置于所述接合區域，在所述第3方向上延伸，具備由所述多個導電層的一部分包圍的外周面，分別連接于所述多個導電層中的任一者，
所述接合區域具備在所述第1方向上排列的第1區域和第2區域，
所述第1區域包括第1接觸電極及第2接觸電極，
所述第2區域包括第3接觸電極，
所述第3接觸電極的所述第3方向的長度比所述第1接觸電極的所述第3方向的長度長，且比所述第2接觸電極的所述第3方向的長度短。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，
所述多個接觸電極分別包含于所述第1區域或所述第2區域，
所述第1區域中包含的所述接觸電極的數量與所述第2區域中包含的所述接觸電極的數量相等。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，
所述第1區域中包含的所述接觸電極分別與所述第2區域中包含的所述接觸電極在所述第1方向上排列。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體存儲裝置，
所述接合區域包括在所述第2方向上排列的第1接觸電極區域及第2接觸電極區域，
所述第1接觸電極區域及所述第2接觸電極區域分別具備在所述第1方向上排列的預定數量的所述接觸電極，
所述第1接觸電極區域中包含的所述預定數量的接觸電極越靠所述第1方向的一側設置則所述第3方向的長度越長，
所述第2接觸電極區域中包含的所述預定數量的接觸電極越靠所述第1方向的另一側設置則所述第3方向的長度越長。
5.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體存儲裝置，
所述接合區域包括第3接觸電極區域，
所述第3接觸電極區域具備在所述第1方向上排列的第4接觸電極、第5接觸電極及第6接觸電極，
所述第5接觸電極設置于所述第4接觸電極與所述第6接觸電極之間，
所述第5接觸電極的所述第3方向的長度比所述第4接觸電極的所述第3方向的長度及所述第6接觸電極的所述第3方向的長度都長或都短。
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