[發明專利]一種水盾草無菌苗的快速培養方法

有效

• 申請號: 202210230985.1
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114431152B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 水生藻安生物科技（武漢）有限公司
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 武漢天領眾智專利代理事務所(普通合伙) 42300
• 代理人: 劉誠

1.一種水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、外植體的采集與預處理：將收集的水盾草置于清水中培養，然后用洗滌劑清洗植株表面，之后在流水下沖洗，選擇生長健壯、無病蟲害的莖段，切成一定長度，并在無菌條件下用無菌水沖洗所述莖段，得到外植體；

S2、外植體的消毒：將步驟S1中得到的外植體置于無菌操作臺中，經乙醇浸泡、升汞浸泡、無菌水沖洗后，用無菌濾紙蘸干外植體表面水分，得到消毒后的外植體；

S3、不定芽誘導：將步驟S2中得到的消毒后的外植體接種于無菌的誘導培養基中，之后在光照培養箱中進行誘導培養，得到不定芽；所述誘導培養基以MS固體培養基為基礎，添加2.0～4.0mg/L的6-BA、0.4～0.6mg/L的IBA和0.5～2%的PPM；所述光照培養的條件如下：溫度為23～25℃，先避光培養一周，然后在光照強度為1800～2000lux，光照時間12～14h/d的條件下培養，待不定芽長到1.5～2.0cm高時，得到不定芽；

S4、不定芽增殖：將步驟S3中得到的不定芽接種于無菌的增殖培養基中，之后在光照培養箱中進行增殖培養，得到叢生苗；所述增殖培養基以MS固體或液體培養基為基礎，添加2.0～4.0mg/L的6-BA、0.5～1.0mg/L的NAA；

S5、生根培養：將步驟S4中得到的叢生苗接種于無菌的生根培養基中，之后在光照培養箱中進行生根培養，得到水盾草無菌苗；所述生根培養基以MS固體或液體培養基為基礎，添加0.5～1.0mg/L的IBA。

2.如權利要求1所述的水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，步驟S1中，所述培養的時間為7～10d，所述流水下沖洗的時間為30～60min，所述莖段切斷的長度為2～3.5cm，所述莖段用無菌水沖洗3～5次。

3.如權利要求1所述的水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，步驟S2中，所述外植體先用80～90%乙醇充分浸泡30～45s，立即用無菌水沖洗4～6次，然后用升汞充分浸泡6～8min，立即用無菌水沖洗3～5次。

4.如權利要求3所述的水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，所述升汞的質量濃度為0.1%。

5.如權利要求1所述的水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，步驟S3中，接種時將莖段豎直插入培養基中達0.5～1.0cm，使之與培養基充分接觸。

6.如權利要求1所述的水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，步驟S4中，接種時，將不定芽切成1.4～1.6cm長的小段并豎直插入培養基中達0.5～1.0cm，使之與培養基充分接觸；或直接置于液體培養基中。

7.如權利要求1所述的水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，步驟S4中，所述光照培養的條件如下：溫度為23～25℃，光照強度為1500～1800lux，光照時間12～14h/d，培養時間為25～30d。

8.如權利要求1所述的水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，步驟S5中，接種時，選取高3.0～5.0cm的叢生苗并豎直插入培養基中達0.5～1.0cm，使之與培養基充分接觸；或直接置于液體培養基中。

9.如權利要求1所述的水盾草無菌苗的快速培養方法，其特征在于，步驟S5中，所述光照培養的條件如下：溫度為23～25℃，光照強度為1800～2000lux，光照時間12～14h/d，培養時間為12～15d。