[發明專利]無圖形晶圓的良率損失獲取系統及獲取方法

在審

• 申請號: 202210229247.5
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114300377A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 甄福強;張東杰;蔡俊郎
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

本發明提供一種無圖形晶圓的良率損失獲取系統。所述系統中，獲取單元獲取第一文件和第二文件，第一文件包括無圖形晶圓表面的缺陷分布信息，第二文件包括一有圖形晶圓的芯片分布信息，有圖形晶圓與無圖形晶圓的規格相同；整合單元整合缺陷分布信息與芯片分布信息得到一目標文件；處理單元以芯片分布信息作為芯片分布模板，利用目標文件統計得到無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量，并且基于芯片分布模板中的芯片總數量、無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量以及設定缺陷致死率，計算所述無圖形晶圓的良率損失。如此，無需經過光刻和刻蝕制程便可獲得無圖形晶圓的良率損失，有助于節約時間和成本。本發明還提供一種無圖形晶圓的良率損失獲取方法。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種無圖形晶圓的良率損失獲取系統及獲取方法。

背景技術

在半導體技術中，常需要檢測晶圓表面的缺陷及缺陷分布，以估算缺陷所引起的良率損失（yield loss）。對于形成有芯片信息的晶圓（稱為有圖形晶圓），通過檢測不僅可以獲得缺陷的數量，還可以獲得缺陷在芯片分布圖中的位置。然而，對于未形成有芯片信息的晶圓（稱為無圖形晶圓，Unpattern Wafer），由于缺少芯片信息（Die information），通過表面掃描工具檢測，僅可以獲得無圖形晶圓表面的缺陷數量（Defect count），這種情況下，根據晶圓良率損失的計算公式，無法計算獲得無圖形晶圓的良率損失。具體的，晶圓良率損失的計算公式如下：

，其中，yield loss為良率損失，defect die count為缺陷芯片數量，total gross die為芯片總數，killer ratio為缺陷致死率。

為了獲得無圖形晶圓的良率損失，現有技術通過對無圖形晶圓進行光刻及刻蝕來形成芯片信息。圖1為一種獲得無圖形晶圓的良率損失的流程圖。如圖1所示，現有技術中，獲得無圖形晶圓的良率損失需要進行以下步驟：1）在裸晶圓（Bare wafer）表面沉積襯墊氧化物層（Pad Oxide），形成無圖形晶圓；2）使用非圖形晶圓檢測機（如KLA+ Surfscan tool（SPX Tool））對無圖形晶圓的上表面進行檢測，獲得所述無圖形晶圓整個上表面的缺陷數量；3）在無圖形晶圓上形成圖形化的掩膜層；4）以圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕襯墊氧化物層，以在無圖形晶圓上形成圖形，使得無圖形晶圓上具有芯片信息；5）去除圖形化的掩膜層；6）利用明暗場有圖形晶圓檢測機（BBPLS Tool）對形成有圖形的晶圓進行表面檢測，獲得晶圓的缺陷芯片數量，進而計算獲得晶圓的良率損失。可見，現有技術要獲得無圖形晶圓的良率損失，無圖形晶圓需要經過光刻和刻蝕制程后再利用明暗場有圖形晶圓檢測機檢測，獲得無圖形晶圓的良率損失的過程費時費力。

發明內容

為了方便快速的獲得無圖形晶圓的良率損失，本發明提供一種無圖形晶圓的良率損失獲取系統及獲取方法。

為了實現上述目的，本發明提供一種無圖形晶圓的良率損失獲取系統。所述良率損失獲取系統包括獲取單元、整合單元和處理單元。所述獲取單元用于獲取第一文件和第二文件；所述第一文件包括所述無圖形晶圓表面的缺陷分布信息，所述缺陷分布信息通過對所述無圖形晶圓表面進行缺陷檢測獲得；所述第二文件包括一有圖形晶圓的芯片分布信息，所述有圖形晶圓與所述無圖形晶圓的規格相同。所述整合單元用于整合所述缺陷分布信息與所述芯片分布信息得到一目標文件。所述處理單元用于以所述芯片分布信息作為芯片分布模板，利用所述目標文件統計得到所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量，并且基于所述芯片分布模板中的芯片總數量、所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量以及設定缺陷致死率，計算所述無圖形晶圓的良率損失。

可選的，所述缺陷分布信息包括所述無圖形晶圓表面的缺陷在第一坐標系中的坐標，所述芯片分布信息包括所述有圖形晶圓上每個芯片的尺寸信息和每個芯片在第二坐標系中的坐標；所述第一坐標系與所述第一坐標系均為正交坐標系。