[發明專利]無圖形晶圓的良率損失獲取系統及獲取方法

在審

• 申請號: 202210229247.5
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN114300377A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 甄福強;張東杰;蔡俊郎
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種無圖形晶圓的良率損失獲取系統，其特征在于，包括：

獲取單元，用于獲取第一文件和第二文件；所述第一文件包括所述無圖形晶圓表面的缺陷分布信息，所述缺陷分布信息通過對所述無圖形晶圓表面進行缺陷檢測獲得；所述第二文件包括一有圖形晶圓的芯片分布信息，所述有圖形晶圓與所述無圖形晶圓的規格相同；

整合單元，用于整合所述缺陷分布信息與所述芯片分布信息得到一目標文件；以及

處理單元，用于以所述芯片分布信息作為芯片分布模板，利用所述目標文件統計得到所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量，并且基于所述芯片分布模板中的芯片總數量、所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量以及設定缺陷致死率，計算所述無圖形晶圓的良率損失。

2.如權利要求1所述的良率損失獲取系統，其特征在于，所述缺陷分布信息包括所述無圖形晶圓表面的缺陷在第一坐標系中的坐標，所述芯片分布信息包括所述有圖形晶圓上每個芯片的尺寸信息和每個芯片在第二坐標系中的坐標；所述第一坐標系與所述第一坐標系均為正交坐標系。

3.如權利要求2所述的良率損失獲取系統，其特征在于，所述整合單元被配置為：

利用所述第一坐標系和所述第二坐標系的位置關系，將所述無圖形晶圓表面的各個缺陷在所述第一坐標系中的坐標轉換為在所述第二坐標系中的坐標，并存儲所述無圖形晶圓表面的各個缺陷在所述第二坐標系中的坐標和所述芯片分布信息形成所述目標文件。

4.如權利要求3所述的良率損失獲取系統，其特征在于，所述處理單元被配置為：

根據所述無圖形晶圓表面的各個缺陷在所述第二坐標系中的坐標，判斷所述芯片分布模板中的各個所述芯片的尺寸范圍內是否存在缺陷，以尺寸范圍內存在缺陷的一個所述芯片作為一個缺陷芯片，對所述芯片分布模板中的全部缺陷芯片進行統計，統計結果作為所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量。

5.一種無圖形晶圓的良率損失獲取方法，其特征在于，包括：

獲得一無圖形晶圓，對所述無圖形晶圓表面進行缺陷檢測，獲得所述無圖形晶圓表面的缺陷分布信息；

獲得一有圖形晶圓的芯片分布信息，整合所述缺陷分布信息與所述芯片分布信息得到一目標文件，所述有圖形晶圓與所述無圖形晶圓的規格相同；以及

以所述芯片分布信息作為芯片分布模板，利用所述目標文件統計得到所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量，并且基于所述芯片分布模板中的芯片總數量、所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量以及設定缺陷致死率，計算所述無圖形晶圓的良率損失。

6.如權利要求5所述的良率損失獲取方法，其特征在于，所述無圖形晶圓的良率損失；其中，yield loss為良率損失，defect diecount為缺陷芯片數量，total gross die為芯片總數，killer ratio為缺陷致死率。

7.如權利要求5所述的良率損失獲取方法，其特征在于，所述缺陷分布信息包括所述無圖形晶圓表面的缺陷在第一坐標系中的坐標，所述芯片分布信息包括所述有圖形晶圓上每個芯片的尺寸信息和每個芯片在第二坐標系中的坐標；所述第一坐標系與所述第二坐標系均為正交坐標系。

8.如權利要求7所述的良率損失獲取方法，其特征在于，所述第一坐標系以所述無圖形晶圓的外切正方形的頂點為坐標原點，所述第二坐標系的坐標原點位于所述有圖形晶圓的表面內，且所述第二坐標系的坐標原點與所述有圖形晶圓的圓心之間的距離在設定誤差范圍內。

9.如權利要求7所述的良率損失獲取方法，其特征在于，整合所述缺陷分布信息與所述芯片分布信息得到所述目標文件的方法包括：

利用所述第一坐標系和所述第二坐標系的位置關系，將所述無圖形晶圓表面的各個缺陷在所述第一坐標系中的坐標轉換為在所述第二坐標系中的坐標，并存儲所述無圖形晶圓表面的各個缺陷在所述第二坐標系中的坐標和所述芯片分布信息形成所述目標文件。

10.如權利要求9所述的良率損失獲取方法，其特征在于，利用所述目標文件統計得到所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量的方法包括：

根據所述無圖形晶圓表面的各個缺陷在所述第二坐標系中的坐標，判斷所述芯片分布模板中的各個所述芯片的尺寸范圍內是否存在缺陷，以尺寸范圍內存在缺陷的一個所述芯片作為一個缺陷芯片，對所述芯片分布模板中的全部缺陷芯片進行統計，統計結果作為所述無圖形晶圓對應的缺陷芯片數量。