[發(fā)明專利]電容式壓力傳感器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210229093.X | 申請(qǐng)日: | 2022-03-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114608727A | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01L1/14 | 分類號(hào): | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 方世棟 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容 壓力傳感器 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了電容式壓力傳感器及其制備方法,屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域,包括第一電極和第二電極,第二電極為在第一電極上懸空后形成的膜層,第一電極與膜層之間隔開,形成雙層硅結(jié)構(gòu)的電容式壓力傳感器;本發(fā)明的電容式壓力傳感器的制備方法,在硅遷移后的懸空后形成的膜層上進(jìn)行絕緣的處理,通過利用于PN結(jié)的絕緣性在單片硅片上形成第一電極、第二電極以及一個(gè)絕緣的腔體,構(gòu)成特殊結(jié)構(gòu)的兩層硅作為壓力傳感器,簡(jiǎn)化了傳統(tǒng)的電容式壓力傳感器的制備工藝。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及電容式壓力傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)
電容式壓力傳感器(Capacitive Type Pressure Transducer),采用圓形金屬薄膜或鍍金屬薄膜作為電容器的一個(gè)電極,當(dāng)薄膜感受壓力而變形時(shí),薄膜與固定電極之間形成的電容量發(fā)生變化,通過測(cè)量電路即可輸出與電壓成一定關(guān)系的電信號(hào)。
傳統(tǒng)電容式壓力傳感器在其制備過程中,需要花較長(zhǎng)時(shí)間刻蝕出背面的腔體,以及較為復(fù)雜的正面薄膜電極的沉積工藝,制備工藝較為復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:本發(fā)明提供電容式壓力傳感器;本發(fā)明的另一目的在于提供電容式壓力傳感器的制備方法,降低工藝復(fù)雜程度。
技術(shù)方案:為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明的電容式壓力傳感器,包括第一電極和第二電極,所述第二電極為在所述第一電極上懸空后形成的膜層,所述第一電極與所述膜層形成雙層硅結(jié)構(gòu)的電容式壓力傳感器。所述懸空后形成具體為,所述第二電極通過所述第一電極形成,所述第二電極與所述第一電極隔開。
在一些實(shí)施例中,所述第一電極和所述第二電極由單片硅片形成。
在一些實(shí)施例中,所述膜層為一層。
在一些實(shí)施例中,所述第一電極為摻雜后的硅片。
在一些實(shí)施例中,所述第一電極為重?fù)诫s后的硅片。
在一些實(shí)施例中,在所述第一電極和所述膜層之間設(shè)置腔體,所述第一電極與所述膜層之間通過所述腔體隔開。
在一些實(shí)施例中,在所述膜層的外周設(shè)置環(huán)形結(jié)區(qū),所述環(huán)形結(jié)區(qū)隔開所述膜層和所述第一電極,形成絕緣的環(huán)形結(jié)構(gòu)。所述環(huán)形結(jié)區(qū)設(shè)置在所述腔體上方。
在一些實(shí)施例中,在所述第一電極上設(shè)置第一金屬區(qū),所述第一電極和所述第一金屬區(qū)歐姆接觸;在所述膜層上設(shè)置第二金屬區(qū),所述膜層和所述第二金屬區(qū)歐姆接觸。
在一些實(shí)施例中,所述第一金屬區(qū)和所述第二金屬區(qū)電絕緣。
在一些實(shí)施例中,所述金屬區(qū)作為引線和pad(Passivation opening,鈍化開口)。
在一些實(shí)施例中,電容式壓力傳感器的制備方法,包括:
提供第一電極;
在所述第一電極上懸空后形成膜層,作為第二電極;
所述第一電極和所述第二電極形成雙層硅結(jié)構(gòu)的電容式壓力傳感器。
在一些實(shí)施例中,所述提供第一電極,具體為:提供未摻雜的硅片,制作第一電極。
在一些實(shí)施例中,在所述第一電極上沉積第一金屬區(qū),所述第一電極和所述第一金屬區(qū)歐姆接觸;在所述膜層上沉積第二金屬區(qū),所述膜層和所述第二金屬區(qū)歐姆接觸;所述第一金屬區(qū)和所述第二金屬區(qū)電絕緣。
在一些實(shí)施例中,所述第一電極為摻雜后的硅片,所述第二電極為摻雜后的硅片形成的膜層。
在一些實(shí)施例中,在所述膜層的外周設(shè)置環(huán)形結(jié)區(qū),所述環(huán)形結(jié)區(qū)將所述膜層與所述第一電極隔開。
在一些實(shí)施例中,在所述膜層的外周注入與所述摻雜相反的離子形成所述環(huán)形結(jié)區(qū)。
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