[發明專利]電容式壓力傳感器及其制備方法在審
| 申請號： | 202210229093.X | 申請日： | 2022-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN114608727A | 公開（公告）日： | 2022-06-10 |
| 發明（設計）人： | 許森 | 申請（專利權）人： | 蘇州敏芯微電子技術股份有限公司 |
| 主分類號： | G01L1/14 | 分類號： | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 方世棟 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容 壓力傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.電容式壓力傳感器，其特征在于，包括第一電極和第二電極，所述第二電極為在所述第一電極上懸空后形成的膜層(104)。
2.根據權利要求1所述的電容式壓力傳感器，其特征在于，所述膜層(104)為一層。
3.根據權利要求1所述的電容式壓力傳感器，其特征在于，所述第一電極為摻雜后的硅片(100)。
4.根據權利要求1所述的電容式壓力傳感器，其特征在于，在所述第一電極和所述膜層(104)之間設置腔體(105)，所述第一電極與所述膜層(104)之間通過所述腔體(105)隔開。
5.根據權利要求1所述的電容式壓力傳感器，其特征在于，在所述膜層(104)的外周設置環形結區(101)。
6.根據權利要求1所述的電容式壓力傳感器，其特征在于，在所述第一電極上設置第一金屬區(1021)，所述第一電極和所述第一金屬區(1021)歐姆接觸；在所述膜層(104)上設置第二金屬區(1022)，所述膜層(104)和所述第二金屬區(1022)歐姆接觸。
7.根據權利要求6所述的電容式壓力傳感器，其特征在于，所述第一金屬區(1021)和所述第二金屬區(1022)電絕緣。
8.電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，包括：
提供第一電極；
在所述第一電極上懸空后形成膜層(104)，作為第二電極；
所述第一電極和所述第二電極形成雙層硅結構的電容式壓力傳感器。
9.根據權利要求8所述的電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，在所述第一電極上沉積第一金屬區(1021)，所述第一電極和所述第一金屬區(1021)歐姆接觸；在所述膜層(104)上沉積第二金屬區(1022)，所述膜層(104)和所述第二金屬區(1022)歐姆接觸；所述第一金屬區(1021)和所述第二金屬區(1022)電絕緣。
10.根據權利要求8所述的電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述第一電極為摻雜后的硅片(100)，所述第二電極為摻雜后的硅片(100)形成的膜層(104)。
11.根據權利要求10所述的電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，在所述膜層(104)的外周設置環形結區(101)，所述環形結區(101)將所述膜層(104)與所述第一電極隔開。
12.根據權利要求11所述的電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，在所述膜層(104)的外周注入與所述摻雜相反的離子形成所述環形結區(101)。
13.根據權利要求10所述的電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，在所述第一電極上懸空后形成膜層(104)，具體為：將所述第一電極退火，得到硅原子遷移后形成的膜層(104)和位于所述膜層(104)下方的腔體(105)。
14.根據權利要求13所述的電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，將所述第一電極退火，具體為：對所述摻雜后的硅片(100)進行刻蝕形成槽體(103)，得到刻蝕后的硅片，對所述刻蝕后的硅片進行退火。
15.根據權利要求14所述的電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述槽體(103)呈周期性陣列排布。
16.根據權利要求14所述的電容式壓力傳感器的制備方法，其特征在于，所述槽體(103)的陣列為矩形。
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