[發明專利]一種硅反應裝置

在審

• 申請號: 202210216131.8
• 申請日: 2022-03-07
• 公開（公告）號: CN114602401A
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 項習飛;田才忠;林保璋;余先煒
• 申請（專利權）人: 盛吉盛半導體科技（北京）有限公司;盛吉盛（寧波）半導體科技有限公司
• 主分類號: B01J19/00
• 分類號: B01J19/00;B01J4/00;H01L21/67
• 代理公司: 北京市競天公誠律師事務所 11770
• 代理人: 陳果

本發明涉及一種硅反應裝置，包括腔體以及抽氣部，抽氣部設置于腔體的底部的中央并與腔體連通，抽氣部包括閥板、連桿、抽氣管道以及驅動組件，連桿的第一端與閥板固定連接，驅動組件與連桿的第二端連接以驅動連桿做升降運動，閥板用于在連桿的作用下開啟或關閉抽氣管道。本發明能夠提高腔體內硅晶圓表面的氣體的均勻性，同時能夠調控腔體內的壓力，使得壓力趨于平穩。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別是涉及一種硅反應裝置。

背景技術

對于現有技術下的硅反應裝置，氣體在整個腔室中的分布是不均勻的，靠近進氣口的氣體分布與靠近抽氣口的氣體分布不同，靠近邊緣區域的氣體分布與靠近中心區域的氣體分布不同。雖然硅片的連續旋轉可以降低氣體分布的不均勻性，但仍未達到工藝標準。更重要的是，現有技術下的硅反應裝置的腔室內的壓力無法準確控制或調整，也會影響到腔室內的氣體均勻性。隨著對氣體的均勻性要求的增加，如何提高腔室內氣體的均勻性成為關鍵問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種硅反應裝置，以提高腔室內硅晶圓表面的氣體的均勻性。

本發明的目的是采用以下的技術方案來實現的。依據本發明提出的一種硅反應裝置，包括腔體以及抽氣部，所述抽氣部設置于所述腔體的底部的中央并與所述腔體連通，所述抽氣部包括閥板、連桿、抽氣管道以及驅動組件，所述連桿的第一端與所述閥板固定連接，所述驅動組件與所述連桿的第二端連接以驅動所述連桿做升降運動，所述閥板用于在所述連桿的作用下開啟或關閉所述抽氣管道。

在一些實施方式中，所述閥板包括主體以及連接板，所述主體被構造成凹形結構，以用于與所述抽氣管道配合，所述連接板連接于所述主體的兩側，所述連接板與所述連桿固定連接。

在一些實施方式中，所述主體與所述連接板一體成型。

在一些實施方式中，所述抽氣部還包括密封板，所述密封板設置于所述驅動組件的上方。

在一些實施方式中，所述抽氣部還包括用于固定所述驅動組件的固定部，所述固定部將所述驅動組件固定于所述抽氣管道的側部。

在一些實施方式中，所述硅反應裝置還包括多個進氣部，多個所述進氣部設置在所述腔體的頂部，所述進氣部具有主體，所述主體上設置有凹部，在所述凹部上開設有多個進氣孔，所述進氣孔與所述腔體連通。

在一些實施方式中，所述硅反應裝置還包括上蓋板，所述進氣部與所述上蓋板固定連接，所述上蓋板蓋合于所述腔體的頂部。

在一些實施方式中，所述上蓋板還開設有多個通孔，多個所述通孔與所述凹部上的所述進氣孔連通。

在一些實施方式中，所述進氣部的所述主體的上表面設置有第一配合部，所述上蓋板的下表面設置有第二配合部，所述第一配合部被設置成環繞所述凹部的外周，所述第二配合部被設置成環繞多個所述通孔。

在一些實施方式中，所述第一配合部上設置有多個第一凸起，所述第二配合部上設置有多個第二凸起，所述多個第一凸起與所述多個第二凸起成角度配合。

本發明的有益效果至少包括：

1、將抽氣部設置于腔體的底部的中央并與腔體連通，工藝氣體在腔體的內部沉積的過程中，在被抽氣部從腔體的底部的中央抽出之前，能夠均勻地流經載臺上的硅晶圓的上表面，從而使得硅晶圓表面的氣體均勻分布。

2、通過驅動組件驅動閥板做升降運動，以通過閥板調整抽氣管道的開度，能夠調節腔室的內部的壓力，使得腔室內壓力平穩，從而使得腔室內的工藝氣體均勻地分散在基底表面。