[發(fā)明專利]金屬部件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210208191.5 | 申請(qǐng)日： | 2022-03-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115036284A | 公開（公告）日： | 2022-09-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 古賀健斗;宮內(nèi)義仁;渡邊和則;久保公彥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社三井高科技 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京奉思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11464 | 代理人： | 王國志;馬雯 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 部件 | ||
1.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的金屬部件，所述金屬部件包括：
基材，該基材具有導(dǎo)電性；
鎳層，該鎳層形成在所述基材的表面上，并且包含鎳作為主要成分；以及
貴金屬層，該貴金屬層形成在所述鎳層的表面上，其中，
所述鎳層包括不含磷的第一鎳層以及包含0.01至1的重量百分比的磷的第二鎳層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層包含0.01至0.5的重量百分比的磷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬部件，其中，所述第一鎳層的表面具有粗糙的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的金屬部件，其中，所述第一鎳層形成在所述基材的表面上，并且所述第二鎳層形成在所述第一鎳層的表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層形成在所述基材的表面上，并且所述第一鎳層形成在所述第二鎳層的表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層之外的另一個(gè)第二鎳層形成在所述第一鎳層的表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層具有0.1μm以上的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7的任一項(xiàng)所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層在所述鎳層中的厚度的比例為50％以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8的任一項(xiàng)所述的金屬部件，其中，所述貴金屬層以至少一層形成，并且所述貴金屬層由鈀、金和銀中的至少一種形成。
10.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的金屬部件，所述金屬部件包括：
基材，該基材具有導(dǎo)電性；
鎳層，該鎳層形成在所述基材的表面上，并且包含鎳作為主要成分；以及
貴金屬層，該貴金屬層形成在所述鎳層的表面上，其中，
所述鎳層包括不含磷的第一鎳層和包含磷并且具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)的第二鎳層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的金屬部件，其中，所述第一鎳層的表面具有粗糙的表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的金屬部件，其中，所述第一鎳層形成在所述基材的表面上，并且所述第二鎳層形成在所述第一鎳層的表面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層形成在所述基材的表面上，并且所述第一鎳層形成在所述第二鎳層的表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層之外的另一個(gè)第二鎳層形成在所述第一鎳層的表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至14的任一項(xiàng)所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層具有0.1μm以上的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求10至15的任一項(xiàng)所述的金屬部件，其中，所述第二鎳層在所述鎳層中的厚度的比例為50％以下。
17.根據(jù)權(quán)利要求10至16的任一項(xiàng)所述的金屬部件，其中，所述貴金屬層以至少一層形成，并且所述貴金屬層由鈀、金和銀中的至少一種形成。
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