[發明專利]金屬部件在審
| 申請號: | 202210208191.5 | 申請日: | 2022-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN115036284A | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 古賀健斗;宮內義仁;渡邊和則;久保公彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社三井高科技 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京奉思知識產權代理有限公司 11464 | 代理人: | 王國志;馬雯 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 部件 | ||
提供一種用于制造半導體裝置的金屬部件,包括:具有導電性的基材;鎳層,其形成在基材的表面上并且包含鎳作為主要成分;以及形成在鎳層的表面上的貴金屬層。鎳層包括不含磷的第一鎳層以及包含0.01至1的重量百分比的磷的第二鎳層。根據本公開的金屬部件,在能夠保持良好特性的同時能夠減小鎳層的厚度。
技術領域
本文公開的實施例涉及一種金屬部件。
背景技術
在現有技術中,已經已知一種技術,該技術在諸如用于制造半導體裝置的引線框架這樣的金屬部件中的金屬基材的表面上形成鎳鍍層。
此外,作為其示例,已經已知一種稱為預鍍引線框架(Pd-PPF)的技術,其中,在引線框架的金屬基材的表面依次形成鍍鎳層、鍍鈀層和鍍金層(參見專利文獻JPH04-115558A)。
然而,這些鎳層具有比較大的膜厚,這增加了制造成本。
發明內容
實施例的方面提供一種用于制造半導體裝置的金屬部件,其中,在能夠保持良好特性的同時能夠減小鎳層的厚度。
根據實施例的一個方面,用于制造半導體裝置的金屬部件包括:具有導電性的基材;鎳層,該鎳層形成在所述基材的表面上并且包含鎳作為主要成分;以及形成在所述鎳層的表面上的貴金屬層。鎳層包括不含磷的第一鎳層以及包含0.01至1的重量百分比的磷的第二鎳層。
根據實施例的一個方面,在用于制造半導體裝置的金屬部件中,在能夠保持良好特性的同時能夠減小鎳層的厚度。
附圖說明
圖1是根據實施例的引線框架的示意圖。
圖2是示出根據實施例的半導體裝置的截面圖。
圖3A至圖3C是示出根據實施例和實施例的修改例1和2的引線框架的放大截面圖。
圖4A至圖4C是示出根據實施例的修改例3至5的引線框架的放大截面圖。
圖5是示出根據實例4的引線框架的截面形態的SEM照片的視圖。
圖6是示出根據實例8的引線框架的截面形態的SEM照片的視圖。
圖7是示出根據比較例4的引線框架的截面形態的SEM照片的視圖。
圖8是示出根據比較例8的引線框架的截面形態的SEM照片的視圖。
圖9示出了實例49至53以及比較例15和16的第一鎳層和第二鎳層的膜厚、實現1秒以下的過零時間的鈀層的最小膜厚、樹脂粘附性的評價以及引線框架的表面形態和截面形態的SEM照片。
圖10示出了實例54至58以及比較例15和16的第一鎳層和第二鎳層的膜厚、實現1秒以下的過零時間的鈀層的最小膜厚、樹脂粘附性的評價、引線框架的表面形態和截面形態的SEM照片。
具體實施方式
下文,將參考附圖描述引線框架作為本申請中公開的用于制造半導體裝置的金屬部件的示例。本公開不限于下文描述的實施例。此外,應當注意附圖是示意的,并且因此各個部件的尺寸關系、各個部件的比率等可能不同于實際的情況。此外,附圖可能包括具有互不相同的尺寸關系和比率的部分。
在現有技術中,已經已知一種稱為Pd-PPF的技術,其中,在用于制造半導體裝置的引線框架中,在金屬基材的表面上依次形成鍍鎳層、鍍鈀層和鍍金層。
由于該Pd-PPF能夠實現焊料的潤濕性以及結合導線的結合特性兩者,所以使用這樣的Pd-PPF使得能夠通過簡單的處理制造半導體裝置。
然而,在現有技術中,當僅減小鎳鍍層的厚度時,基材中包含的銅可能擴散至Pd-PPF的表面,并且因此焊料的潤濕性等可能劣化。另一方面,當鎳鍍層的厚度增大時,用于形成鎳鍍層的單件工時變長,并且因此制造成本可能升高。
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