[發明專利]存儲芯片的測試方法、裝置、存儲介質與電子設備

在審

• 申請號: 202210198602.7
• 申請日: 2022-03-02
• 公開（公告）號: CN114582412A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 劉東
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C29/08
• 分類號: G11C29/08;G11C29/12
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 趙新龍

本公開提供了一種存儲芯片的測試方法、裝置、存儲介質與電子設備，屬于半導體技術領域。所述方法包括：在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據；從所述存儲單元中讀取存儲數據；根據所述測試數據與所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片的測試結果；其中，從所述存儲單元中讀取存儲數據過程中，行選通脈沖預充電時間小于所述待測存儲芯片的標準行選通脈沖預充電時間，和/或，所述待測存儲芯片當前的感測延遲時間小于所述待測存儲芯片的標準感測延遲時間。本公開可以提高存儲芯片的測試效率。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，尤其涉及一種存儲芯片的測試方法、存儲芯片的測試裝置、計算機可讀存儲介質與電子設備。

背景技術

存儲芯片廣泛用于各類電子產品，是其中的主要存儲部件。為了檢測存儲芯片的使用性能，制造廠商需要在存儲芯片出廠前對芯片的讀寫性能進行測試，來檢測存儲芯片是否合格。

然而，隨著存儲芯片規模的提升，使得測試存儲芯片所需要的時間越來越長，導致存儲芯片的生產效率降低、成本變高；同時，隨著存儲芯片內部結構的不斷復雜化，如何對存儲芯片進行完整全面的測試也成為亟待解決的問題。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開提供了一種存儲芯片的測試方法、存儲芯片的測試裝置、計算機可讀存儲介質與電子設備，進而至少在一定程度上改善現有技術中存儲芯片的測試效率不高的問題。

本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本公開的實踐而習得。

根據本公開的第一方面，提供一種存儲芯片的測試方法，所述方法包括：在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據；從所述存儲單元中讀取存儲數據；根據所述測試數據與所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片的測試結果；其中，從所述存儲單元中讀取存儲數據過程中，行選通脈沖預充電時間小于所述待測存儲芯片的標準行選通脈沖預充電時間，和/或，所述待測存儲芯片當前的感測延遲時間小于所述待測存儲芯片的標準感測延遲時間。

在本公開的一種示例性實施方式中，在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據后，所述方法還包括：按照預設刷新周期對所述待測存儲芯片的存儲單元進行刷新處理。

在本公開的一種示例性實施方式中，所述方法還包括：在每次對所述待測存儲芯片的存儲單元進行刷新處理之后，控制所述待測存儲芯片在預設時間內處于保持狀態。

在本公開的一種示例性實施方式中，所述待測存儲芯片包括多列存儲單元，每一列存儲單元采用一個或者多個檢測周期；所述在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據，包括：在處于同一個檢測周期內的存儲單元中寫入所述測試數據；所述從所述存儲單元中讀取存儲數據，包括：從處于同一個檢測周期內的存儲單元中讀取所述存儲數據。

在本公開的一種示例性實施方式中，所述待測存儲芯片的各列存儲單元按照遍歷的形式進行測試；其中，所述遍歷的方向為Y軸方向。

在本公開的一種示例性實施方式中，所述待測存儲芯片包括由多條字線和多條位線構成的存儲陣列，且每個存儲單元設置于任意一條字線和任意一條位線的相交處，所述從所述存儲單元中讀取存儲數據，還包括：按照所述待測存儲芯片的字線順序，讀取所述待測存儲芯片中每個字線對應的存儲單元中的存儲數據。

在本公開的一種示例性實施方式中，所述方法還包括：在讀取任一字線對應的存儲單元的存儲數據時，開啟所述任一字線，按照突發長度單元讀取所述任一字線對應的存儲單元中的存儲數據，直至完成所述任一字線對應的全部存儲單元中的存儲數據，然后關閉所述任一字線；開啟下一字線，并讀取所述下一字線對應的存儲單元中的存儲數據。

在本公開的一種示例性實施方式中，所述測試數據為具有相等數據位的多個二進制序列，且每個所述二進制序列具有不同的數據結構。