[發明專利]存儲芯片的測試方法、裝置、存儲介質與電子設備在審
| 申請號： | 202210198602.7 | 申請日： | 2022-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN114582412A | 公開（公告）日： | 2022-06-03 |
| 發明（設計）人： | 劉東 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/08 | 分類號： | G11C29/08;G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人： | 趙新龍 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲 芯片 測試 方法 裝置 介質 電子設備 | ||
1.一種存儲芯片的測試方法，其特征在于，所述方法包括：
在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據；
從所述存儲單元中讀取存儲數據；
根據所述測試數據與所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片的測試結果；
其中，從所述存儲單元中讀取存儲數據過程中，行選通脈沖預充電時間小于所述待測存儲芯片的標準行選通脈沖預充電時間，和/或，所述待測存儲芯片當前的感測延遲時間小于所述待測存儲芯片的標準感測延遲時間。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據后，所述方法還包括：
按照預設刷新周期對所述待測存儲芯片的存儲單元進行刷新處理。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在每次對所述待測存儲芯片的存儲單元進行刷新處理之后，控制所述待測存儲芯片在預設時間內處于保持狀態。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待測存儲芯片包括多列存儲單元，每一列存儲單元采用一個或者多個檢測周期；所述在待測存儲芯片的存儲單元中寫入測試數據，包括：
在處于同一個檢測周期內的存儲單元中寫入所述測試數據；
所述從所述存儲單元中讀取存儲數據，包括：
從處于同一個檢測周期內的存儲單元中讀取所述存儲數據。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述待測存儲芯片的各列存儲單元按照遍歷的形式進行測試；其中，所述遍歷的方向為Y軸方向。
6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述待測存儲芯片包括由多條字線和多條位線構成的存儲陣列，且每個存儲單元設置于任意一條字線和任意一條位線的相交處，所述從所述存儲單元中讀取存儲數據，還包括：
按照所述待測存儲芯片的字線順序，讀取所述待測存儲芯片中每個字線對應的存儲單元中的存儲數據。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
在讀取任一字線對應的存儲單元的存儲數據時，開啟所述任一字線，按照突發長度單元讀取所述任一字線對應的存儲單元中的存儲數據，直至完成所述任一字線對應的全部存儲單元中的存儲數據，然后關閉所述任一字線；開啟下一字線，并讀取所述下一字線對應的存儲單元中的存儲數據。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述測試數據為具有相等數據位的多個二進制序列，且每個所述二進制序列具有不同的數據結構。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，各行所述存儲單元或者各列所述存儲單元的位數大于所述測試數據的位數。
10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，各行所述存儲單元或者各列所述存儲單元的位數為所述測試數據的位數的整數倍。
11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在按行分布的所述測試數據的每個所述二進制序列中，每個“1”數據位周圍分布“0”數據位。
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述測試數據包括多組子測試數據，且每組子測試數據包括兩種二進制序列，所述方法還包括：
在向所述待測存儲芯片的存儲單元中寫入任意一組子測試數據時，從所述存儲單元中讀取存儲數據，并根據所述任意一組子測試數據與所述存儲數據，生成所述待測存儲芯片關于所述任意一組子測試數據的測試結果。
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