[發(fā)明專利]嵌埋元器件封裝基板的制作方法

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• 申請日: 2022-03-01
• 公開（公告）號: CN114724964A
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳先明;林文健;黃高;黃本霞
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48;H01L21/60;H01L21/58;B32B38/10;B32B38/04;B32B37/12;B32B37/10
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李翔;鮑勝如

1.一種嵌埋元器件封裝基板的制作方法，包括如下步驟：

(a)制作半成品基板，所述半成品基板包括第一介質(zhì)層和位于所述第一介質(zhì)層上表面上的第一線路層；

(b)制備嵌埋器件層，所述嵌埋器件層包括封裝層和嵌埋在所述封裝層內(nèi)的器件，所述器件的背面和所述封裝層的下表面平齊；

(c)通過粘性層將所述半成品基板和所述嵌埋器件層壓合；

(d)在所述封裝層內(nèi)和所述粘性層內(nèi)形成沿高度方向貫穿所述封裝層和所述粘性層的層間導通銅柱層，在所述封裝層內(nèi)形成與所述器件的端子連通的導通孔，在所述封裝層的上表面上形成外線路層，所述外線路層與所述第一線路層通過所述層間導通銅柱層導通連接，所述外線路層與所述器件的端子通過所述導通孔連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中步驟(b)包括：

(b1)準備臨時承載板，所述臨時承載板包括至少一面覆有雙層銅箔的覆銅板，其中所述覆銅板包括核心層、在所述核心層表面上的第一銅層和在所述第一銅層上的第二銅層，其中所述第一銅層和所述第二銅層通過物理壓合附著在一起；

(b2)在所述第二銅層的上表面上施加芯片粘接層；

(b3)將所述器件的背面貼合在所述芯片粘接層上；

(b4)在所述芯片粘接層上形成嵌埋所述器件的封裝層，并在所述封裝層的上表面上形成銅箔層；

(b5)將所述第一銅層和所述第二銅層物理分離以移除所述核心層和所述第一銅層；

(b6)蝕刻所述第二銅層和所述銅箔層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其中步驟(a)還包括：形成沿高度方向貫穿所述半成品基板的第一鉚釘孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其中步驟(b5)還包括：移除所述核心層和所述第一銅層后，形成沿高度方向貫穿所述第二銅層、所述封裝層和所述銅箔層的第二鉚釘孔，且所述第一鉚釘孔和所述第二鉚釘孔能夠縱向重合。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其中步驟(c)還包括：通過鉚釘貫穿所述第一鉚釘孔和所述第二鉚釘孔以將壓合后的所述半成品基板和所述嵌埋器件層鉚合固定，并將鉚合固定后的所述半成品基板和所述嵌埋器件層固化，然后移除所述鉚釘。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其中所述核心層選自PP、金屬或玻璃。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其中所述銅箔層的厚度和所述第二銅層的厚度相同或相近。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其中步驟(b2)包括通過點膠或貼DAF的方式在所述臨時承載板的上表面上施加芯片粘接層。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其中所述封裝層選自PP、ABF和PID中的一種或多種的組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中所述粘性層選自PP、ABF、PID或純膠粘結(jié)片。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其中所述步驟(d)包括：

(d1)在所述封裝層內(nèi)和所述粘性層內(nèi)形成暴露所述第一線路層或所述器件的端子的導通盲孔；

(d2)在所述導通盲孔的底部和側(cè)壁以及所述封裝層的上表面上形成第一金屬種子層；

(d3)電鍍所述導通盲孔形成沿高度方向貫穿所述封裝層和所述粘性層的層間導通銅柱層，以及與所述器件的端子連通的導通孔，并在所述封裝層的上表面上電鍍形成外銅層；

(d4)在所述外銅層上施加第一光刻膠層，曝光顯影所述第一光刻膠層形成第一特征圖案；

(d5)在所述第一特征圖案中蝕刻暴露的外銅層和第一金屬種子層；

(d6)移除所述第一光刻膠層。