[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210195379.0
• 申請日: 2016-10-26
• 公開（公告）號: CN114582875A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本芳樹
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李輝;張昊

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底，包括第一阱區(qū)；

絕緣層，形成在所述半導(dǎo)體襯底的第一部分上，并與所述第一阱區(qū)接觸；

半導(dǎo)體層，形成在所述絕緣層上；

元件隔離區(qū)域，在剖視圖中到達(dá)所述第一阱區(qū)的內(nèi)部；

第一柵電極層，經(jīng)由第一柵極絕緣膜形成在所述半導(dǎo)體層的第一部分上；

第二柵電極層，經(jīng)由第二柵極絕緣膜形成在所述半導(dǎo)體層的第二部分上，并且形成在所述元件隔離區(qū)域的第一部分上；

層間絕緣膜，覆蓋所述第一柵電極層、所述第二柵電極層和所述元件隔離區(qū)域的第二部分；

第一插塞導(dǎo)體層，形成在所述層間絕緣膜中，并連接至所述半導(dǎo)體層的第三部分；

第二插塞導(dǎo)體層，形成在所述層間絕緣膜中，并連接至所述半導(dǎo)體襯底的第二部分；

第一布線，形成在所述層間絕緣膜上，并連接至所述第一插塞導(dǎo)體層；以及

第二布線，形成在所述層間絕緣膜上，并連接至所述第二插塞導(dǎo)體層，

其中所述第二柵電極層包括與所述第一布線和所述第二布線隔離以電浮置的偽柵電極層，以及

其中在待機(jī)期間，第一電位經(jīng)由所述第一插塞導(dǎo)體層被提供給所述半導(dǎo)體層，而與所述第一電位不同的第二電位經(jīng)由所述第二插塞導(dǎo)體層被提供給所述第一阱區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述偽柵電極層被形成在與包括存儲單元區(qū)域的存儲陣列區(qū)域不同的抽頭區(qū)域中，用于將所述第二電位提供給所述第一阱區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一插塞導(dǎo)體層經(jīng)由第一硅化物層被連接至所述半導(dǎo)體層的第三部分，并且

其中所述第二插塞導(dǎo)體層經(jīng)由第二硅化物層被連接至所述半導(dǎo)體襯底的第二部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中共用接觸導(dǎo)體層被形成在所述層間絕緣膜中，并且被形成在所述第二柵電極層和所述元件分離區(qū)域的第二部分上，并且經(jīng)由第三硅化物層被連接至所述第二柵電極層，以及

其中所述共享接觸導(dǎo)體層與所述第一布線和所述第二布線隔離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一阱區(qū)具有第一導(dǎo)電類型，并且

其中所述半導(dǎo)體層的第三部分具有不同于所述第一導(dǎo)電類型的第二導(dǎo)電類型。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一導(dǎo)電類型是n型，并且

其中所述第二導(dǎo)電類型為p型。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中n型的第二阱區(qū)被形成在所述第二插塞導(dǎo)體層和所述第一阱區(qū)之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體層的第三部分包括外延層。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體襯底，包括第一阱區(qū)；

絕緣層，形成在所述半導(dǎo)體襯底的第一部分上，并與所述第一阱區(qū)接觸；

半導(dǎo)體層，形成在所述絕緣層上；

第一柵電極層，經(jīng)由第一柵極絕緣膜形成在所述半導(dǎo)體層上；

第二柵電極層，經(jīng)由第二柵極絕緣膜形成在所述半導(dǎo)體層上；

層間絕緣膜，覆蓋所述第一柵電極層和所述第二柵電極層；

第一插塞導(dǎo)體層，形成在所述層間絕緣膜中，并連接至所述半導(dǎo)體層；

第二插塞導(dǎo)體層，形成在所述層間絕緣膜中，并連接至所述半導(dǎo)體襯底的第二部分；

第一布線，形成在所述層間絕緣膜上，并連接至所述第一插塞導(dǎo)體層；和

第二布線，形成在所述層間絕緣膜上，并連接至所述第二插塞導(dǎo)體層，

其中所述第二柵電極層與所述第一布線和所述第二布線隔離以電浮置，以及

其中在待機(jī)期間，第一電位經(jīng)由所述第一插塞導(dǎo)體層被提供給所述半導(dǎo)體層，而與所述第一電位不同的第二電位經(jīng)由所述第二插塞導(dǎo)體層被提供給所述第一阱區(qū)。