[發明專利]過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜

在審

• 申請號: 202210190914.3
• 申請日: 2022-02-25
• 公開（公告）號: CN114566543A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 姚建可;唐杰;湯皎寧
• 申請（專利權）人: 惠州市中德納微科技有限公司
• 主分類號: H01L29/43
• 分類號: H01L29/43;H01L29/49;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/44;C23C14/08;C23C14/32
• 代理公司: 廣東中禾共贏知識產權代理事務所(普通合伙) 44699
• 代理人: 熊士昌

1.一種過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，包括基底(1)和有源層(2)，其特征在于：所述有源層(2)與基底(1)的一側固定，所述有源層(2)頂部的兩側分別固定設有源極(3)和漏極(4)，所述源極(3)和漏極(4)之間固定設有絕緣層(5)，所述絕緣層(5)的頂部固定設有柵極(6)。

2.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，用FCAD制備，以Al摻雜4％原子比的AlZn合金為陰極靶材，通氧氣反應，溫度在室溫～400℃。

3.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，有源層采用以FCAD制備的ZnO薄膜(高電阻值)，以Zn為陰極靶材，通氧氣反應，溫度在室溫～400℃；柵極、源極和漏極采用權利要求1中制備的AlZnO薄膜(電阻值≤500Ω/□)。

4.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，用FCAD制備，以Sb摻雜10％原子比的SbSn合金為陰極靶材，通氧氣反應，基底溫度在室溫～400℃。

5.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，有源層采用以FCAD制備的SnO2薄膜(高電阻值)，以Sn為陰極靶材，通氧氣反應，溫度在室溫～400℃；柵極、源極和漏極采用權利要求3中制備的SbSnO2薄膜(電阻值≤500Ω/□)。

6.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，有源層采用權利要求3中的SbSnO2薄膜(高電阻值)，柵極、源極和漏極采用權利要求3中制備的SbSnO2薄膜(電阻值≤500Ω/□)。

7.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，采用FCAD制備，以Ta摻雜4％原子比的TaSn合金為陰極靶材，通氧氣反應，基底溫度在室溫～400℃。

8.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，有源層采用權利要求6中的TaSnO2薄膜(高電阻值)，柵極、源極和漏極采用權利要求6中制備的TaSnO2薄膜(電阻值≤500Ω/□)。

9.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，采用FCAD制備，以W摻雜3％原子比的WSn合金為陰極靶材，通氧氣反應，基底溫度在室溫～400℃。

10.根據權利要求1所述的過濾陰極電弧法制備的高性能透明導電薄膜，其特征在于：在普通玻璃或塑料基底，有源層采用權利要求8中的WSnO2薄膜(高電阻值)，柵極、源極和漏極采用權利要求8中制備的WSnO2薄膜(電阻值≤500Ω/□)。